[实用新型]双敏感层体声波氢气谐振传感器无效

专利信息
申请号: 201020597554.1 申请日: 2010-10-28
公开(公告)号: CN201903532U 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 王璟璟;陈达;张玉萍;张会云;干耀国 申请(专利权)人: 山东科技大学
主分类号: G01N29/02 分类号: G01N29/02;G01N29/036
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266510 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 敏感 声波 氢气 谐振 传感器
【权利要求书】:

1.一种双敏感层体声波氢气谐振传感器,包括谐振器和敏感层,其特征在于,谐振器的电极同时作为氢气敏感层,从下向上依次设置基底(1)、设置在基底(1)上的空洞(5)、下敏感金属层(2)、压电薄膜层(3)和上敏感金属层(4);下敏感金属层(2)、压电薄膜层(3)、上敏感金属层(4)和空洞(5)的面积依次减小;上敏感金属层(4)和下敏感金属层(2)都暴露在环境气氛中,可以吸附环境中的氢气分子。

2.根据权利要求1所述的双敏感层体声波氢气谐振传感器,其特征是,所述的下敏感金属层(2),为金属钯或者钯铂合金,其优选的厚度为200纳米至400纳米。

3.根据权利要求1所述的双敏感层体声波氢气谐振传感器,其特征是,所述的上敏感金属层(4),为金属钯或者钯铂合金,其优选的厚度为100纳米至200纳米。

4.根据权利要求1所述的双敏感层体声波氢气谐振传感器,其特征是,所述的压电薄膜层(3),为氮化铝、氧化锌或者皓钛酸铅薄膜,其优选的厚度为1微米至3微米。

5.根据权利要求1所述的双敏感层体声波氢气谐振传感器,其特征是,所述的基底(1)为硅片或玻璃。

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