[实用新型]用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置有效
申请号: | 201020601511.6 | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN201892523U | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;陈桂标;陈信呈 | 申请(专利权)人: | 久元电子股份有限公司 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;B07C5/36 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;张燕华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 发光二极管 芯片 偏移 装置 | ||
1.一种用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,该检测装置包括:
一检测平台,其具有一能够移动的中空平台,其中一具有多个发光二极管芯片的置晶薄膜置放于该检测平台的中空平台上;以及
一芯片偏移量检测模块,其具有至少一设置于该中空平台的上方且用于检测该多个发光二极管芯片的偏移量的芯片偏移量检测元件。
2.根据权利要求1所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,还进一步包括:
一分光镜,其设置于该检测平台的上方;
一随着该多个发光二极管芯片的类型来调整发光波长的第一光源,其设置于该分光镜的一侧;以及
一影像感测元件,其设置于该分光镜的上方。
3.根据权利要求2所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,还进一步包括:一随着该多个发光二极管芯片的类型来调整发光波长的第二光源,其设置于该检测平台的下方。
4.根据权利要求2所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,还进一步包括:一随着该多个发光二极管芯片的类型来调整发光波长的环形光源,其设置于该分光镜与该检测平台之间。
5.根据权利要求4所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,该环形光源包括一组光源,其由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。
6.根据权利要求4所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,该环形光源包括两组光源,并且每一组光源由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。
7.根据权利要求4所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,还进一步包括:一用于包覆该第一光源、该分光镜及该环形光源而只露出两个开口的外壳,并且该外壳呈现T字形。
8.根据权利要求1所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,还进一步包括:一超音波顶针及一吸嘴,其中该超音波顶针设置于该检测平台的下方,以通过超音波的震动方式来移除不合格的发光二极管芯片,并且该吸嘴设置于该检测平台的上方,以将上述不合格的发光二极管芯片吸走。
9.根据权利要求1所述的用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置,其特征在于,该芯片偏移量检测模块具有一能够移动的第一基座及一能够移动地设置在该第一基座上的第二基座,且该芯片偏移量检测元件设置于该第二基座上。
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