[实用新型]非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器在审
申请号: | 201020601997.3 | 申请日: | 2010-11-09 |
公开(公告)号: | CN201926763U | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 张圈世 | 申请(专利权)人: | 北京大基康明医疗设备有限公司 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非晶硅 碘化 数字 射线 平板 探测器 | ||
1.一种非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,包括:
玻璃基板;
用于将可见光转换为电荷信号并读取所述电荷信号的非晶硅薄膜晶体管阵列,设置在所述玻璃基板上;
用于将X射线转换为所述可见光的针状排列的碘化铯闪烁晶体阵列,设置在所述非晶硅薄膜晶体管阵列上。
2.根据权利要求1所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,还包括:
用于密封和填充所述非晶硅薄膜晶体管阵列和所述针状排列的碘化铯闪烁晶体阵列中的非活性区的环氧树脂体;
设置在所述碘化铯闪烁晶体阵列上的石墨表面层;
在所述针状排列的碘化铯闪烁晶体阵列和所述石墨表面层之间,还设置有用于防止所述碘化铯闪烁晶体阵列产生的可见光向外辐射的漫反射层。
3.根据权利要求1所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述非晶硅薄膜晶体管阵列包括:
用于将所述可见光转换为电荷信号的硅光电二极管;
用于读取所述电荷信号的薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述针状排列的碘化铯闪烁晶体阵列中单个晶体的大小为3-50微米,所述碘化铯闪烁晶体阵列的厚度为500-1000微米。
5.根据权利要求1所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述玻璃基板的厚度为1-2毫米。
6.根据权利要求3所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述薄膜晶体管为P-I-N型结构,厚度为1-2微米,储存电容为1-50pf。
7.根据权利要求3所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述硅光电二极管由P型Si和N型Si组成,两者的厚度分别为2000 埃和500埃。
8.根据权利要求2所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述环氧树脂体的填充因子为30%-70%。
9.根据权利要求2所述的非晶硅碘化铯数字X射线平板探测器,其特征在于,所述漫反射层的厚度为2-5微米。
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