[实用新型]一种有栅板式硅粉阻挡器的三氯硅烷合成装置

权利要求书

1.一种三氯硅烷合成装置，包括氯化氢气体进气口、氯化氢气体缓冲室、氯化氢气体分配板、氯化氢与硅粉反应的反应室、硅粉加料口、硅粉和气体进行分离的气-固分离室及反应气体取出口，其特征在于在气-固分离室下部设有栅板式硅粉阻挡器，气固分离室顶部设有吹气管。

2.如权利要求1所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于所述的栅板式硅粉阻挡器包括：栅板条、由栅板条编织组成的方形孔、加固环和将多层所述的栅板加固环连接的支柱。

3.如权利要求2所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于所述栅板式硅粉阻挡器的由方形孔是由栅板条编织组成的10~30×10~30 mm的孔。

4.如权利要求1或2所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于栅板式硅粉阻挡器是用不锈钢制造的。

5.如权利要求1或2所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于所述的硅粉阻挡器层间距离为4~20cm。

6.如权利要求1或2所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于栅板式硅粉阻挡器被安装在三氯硅烷合成装置反应室上部的扩径部的上部气固分离室中，在所述气固分离室顶部的吹气管下方。

7.如权利要求1所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于所述吹气管是将高压载气吹送到筛网式硅粉阻挡器各部位的吹气管。