[实用新型]用于制造半导体分立器件的引线框架

说明书

技术领域：

本实用新型涉及半导体元件领域，具体讲是一种用于制造半导体分立器件的引线框架。

背景技术：

引线框架是制造半导体分立器件的基本部件，如行业通用型号为TO-3P，TO-220，TO-251，TO-126的引线框架。如图1所示，现有技术的引线框架包括载片部1’和多个管脚2’，所述的引线框架为一整体，部分型号的引线框架还包括有散热固定部3’(如：TO-220)。引线框架的基材为铜合金、铝合金或者铁合金。在产品使用过程中，需要在载片部上安装芯片，一般在载片部上加上液态的锡铅溶料，行业称为点锡工艺，用以载片部和芯片粘结。但在上述过程中，锡铅溶料在载片部上扩散很难完全并覆盖装载芯片所需要的面积，尤其当载片部上带有金属表面氧化物或有机沾染物时，就更容易发生锡铅溶料铺展不开(会导致虚焊)和铺展不均匀(会导致芯片粘结不平整)的情况，影响到引线框架和芯片间的牢固结合，并最终影响分立器件的生产效率和合格率。

实用新型内容：

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能使引线框架与芯片结合更牢固的用于制造半导体分立器件的引线框架。

本实用新型的技术解决方案是，提供以下结构的用于制造半导体分立器件的引线框架，包括载片部和多个管脚，所述的载片部上设有凹槽，在所述的凹槽内嵌入锡铅箔片。

采用以上结构后与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：采用本实用新型结构，在使用中节省了点锡的整个工艺，其载片部上的锡铅箔片在安装芯片的过程中受热即能熔化，且均匀的分布在凹槽内，此时再将芯片置于凹槽上方，载片部就能和芯片进行良好的结合，锡铅溶料能铺展并充满整个凹槽，而且分布均匀，提升了成品的合格率，同时提高了半导体分立器件的生产效率。

作为改进，所述的锡铅箔片与凹槽大小相同，这样，在安装芯片时，锡铅箔片熔化后既足以能够牢固地结合芯片，也不会从凹槽中溢出。

作为改进，所述的凹槽的底面上设有网状刻线，因为锡铅箔片一般是通过冲压工艺嵌入凹槽中的，在底面增加网状刻线后，能够使锡铅箔片部分挤压入网状刻线，使二者能更牢固结合，防止锡铅箔片脱落；另外在安装芯片的过程中，对凹槽内的锡铅箔片加热后，锡铅溶料通过网状刻线能够快速、均匀地布满凹槽，而且连接芯片后，硬化后的锡溶料嵌入网状刻线，使得载片部与芯片连接更为牢固。

作为改进，所述的网状刻线的网格为平行四边形，这种形状的网格更容易加工，也方便锡铅溶料快速扩散并布满整个凹槽。

作为改进，所述的嵌入凹槽内的锡铅箔片的上表面高于载片部的表面，这样，由于在冲压时，将锡铅箔片嵌入凹槽所用的冲压的力量不宜过大，否则会损坏载片部的背面，此时锡铅箔片的上表面一般都略高于载片部的表面。

作为改进，所述的载片部上还设有位于凹槽外侧的环状刻线，这样，在已经嵌入锡铅箔片的凹槽外侧设有环状刻线，可以在冲压环状刻线的时候对凹槽和锡铅箔片产生挤压，使凹槽和锡铅箔片内凹，使锡铅箔片牢牢地嵌在凹槽内。

作为改进，所述的凹槽为方形，环状刻线也为方形，因为芯片一般是方形的，锡铅溶料布满方形凹槽后，能使载片部与芯片结合更为饱满。

附图说明：

图1为现有技术的用于制造半导体分立器件的引线框架的结构示意图。

图2为本实用新型的用于制造半导体分立器件的功率引线框架的结构示意图(未装锡铅箔片)。

图3为图2中A-A剖面放大图。

图4为本实用新型的用于制造半导体分立器件的功率引线框架的结构示意图(装上锡铅箔片后)。

图5为图4中A-A剖面放大图。

图6为本实用新型的用于制造半导体分立器件的引线框架的制作方法的工序图。

图7为图6中B的放大图。

图8为冲压锡铅箔片的冲头、锡铅材料薄片和引线框架本体的位置关系图。

图中所示：1’、载片部，2’、管脚，3’、散热固定部，1、载片部，2、管脚，3、散热固定部，4、凹槽，5、锡铅箔片，6、网状刻线，7、环状刻线，8、冲头，9、锡铅材料薄片，10、引线框架本体。

具体实施方式：

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明：

如图2、图3所示，本实用新型的用于制造半导体分立器件的引线框架，包括载片部1、多个管脚2以及散热固定部3。上述为以TO-220型号为基础的现有技术，还有一些型号是没有散热固定部3的。

所述的载片部1上设有凹槽4，所述的凹槽4内嵌入与凹槽4大小相同的锡铅箔片5，所述的凹槽深度为0.05mm，锡铅箔片5的厚度0.1mm。