[实用新型]一种分段温度补偿基准电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体集成电路，更具体地说涉及一种分段温度补偿基准电路。

背景技术

一般基准电路的输出是在各种温度条件下恒定，或者单调递减或单调递增。如图1所示，输入VREF是一个与温度无关的电压值，所需要的输出为VO＝VREF*(R1/(R1+R2))。取R1与R2为同一类型的电阻，所以R1与R2的温度系数是一样的，因此R1/(R1+R2)的比值与温度系数无关，所以VO也是一个与温度无关的电压值。

结合图2，为现有技术的电路的仿真结果图，从图中可以清楚的显示，当温度变化时，VO的值一直不变。

上述的电路在环境温度正常时是适用的，但对于一些特殊环境，环境温度变化，如环境温度升高，电子元器件还保持着同样的输出电压就很容易烧坏元器件，降低元器件的使用寿命，因此这种恒压输出电路对于不同的环境温度，需要有不同的基准输出值时就不适用了。

实用新型内容

为解决上述在环境温度发生变化时，电路一直保持相同电压值输出，电路元器件已被损坏的问题，本实用新型提供了一种分段温度补偿基准电路。

本实用新型的技术方案是：提供一种分段温度补偿基准电路，包括运算放大器电路、驱动晶体管M1、分压电阻R1、分压电阻R2和分压电阻R3，所述的运算放大器电路的正输入端外接参考电压VREF，所述的运算放大器电路的输出端与所述的晶体管M1的栅极相连，所述的晶体管M1的漏极外接启动电压VDD，所述的晶体管M1的源极与分压电阻R3相连，所述的分压电阻R3、分压电阻R2和分压电阻R1依次串联，所述的分压电阻R1接地，所述的运算放大器的负输入端与分压电阻R3和分压电阻R2的一端相连，所述的分段温度补偿基准电路还包括用于检测温度的三极管Q1，所述的三极管Q1的基极和集电极接地，所述的晶体管Q1的发射极连接在所述的分压电阻R1和分压电阻R2间的任意一点上，所述的分段温度补偿基准电路的输出电压为VTC。

所述的输出电压VTC的输出点在分压电阻R1、分压电R2和分压电阻R3之间除掉与所述运算放大器电路负输出端相连接点的任意一点。

所述的晶体管M1为N型MOS管。

所述的三极管Q1为PNP型三极管。

本实用新型的有益效果在于：第一、本实用新型提供的分段温度补偿基准电路在原有恒温输出电路的基础上设计了温度检测三极管Q1，通过三极管Q1进行温度检测，在外界环境温度发生变化后，电路自动调节，输出不同的电压值，确保了电路的稳定性。

第二、本实用新型提供的分段温度补偿基准电路在外界温度过高时可以通过降低输出电压来减少电路发热，避免了电路元器件过热烧坏。

附图说明

图1是现有技术的电路图。

图2是现有技术的电路的仿真结果图。

图3是本实用新型的电路图。

图4是本实用新型电路的仿真结果图。

具体实施方式

实施例一：

结合图3，为本实用新型分段温度补偿基准电路的电路图，所述的分段温度补偿基准电路包括运算放大器电路、驱动晶体管M1、分压电阻R1、分压电阻R2和分压电阻R3，所述的运算放大器电路的正输入端外接参考电压VREF，所述的运算放大器电路的输出端与所述的晶体管M1的栅极相连，所述的晶体管M1的漏极外接启动电压VDD，所述的晶体管M1的源极与分压电阻R3相连，所述的分压电阻R3、分压电阻R2和分压电阻R1依次串联，所述的分压电阻R1接地，所述的运算放大器的负输入端与分压电阻R3和分压电阻R2的一端相连，所述的分段温度补偿基准电路还包括用于检测温度的三极管Q1，所述的三极管Q1的基极和集电极接地，所述的晶体管Q1的发射极连接在所述的分压电阻R1和分压电阻R2间的一点上，所述的分段温度补偿基准电路的输出电压为VTC。所述的输出电压VTC的输出点在分压电阻R1和分压电阻R2之间的一点上。

所述的驱动晶体管M1为N型MOS管。

所述的三极管Q1为PNP型三极管。

所述的分段温度补偿的基准电路会产生一个输入电压VREF，还会产生一个输出电压VTC，所述的VREF是与温度无关电压值。