[实用新型]一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器有效
| 申请号： | 201020610144.6 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN201917649U | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王三胜;杨慧 | 申请（专利权）人： | 北京鼎臣超导科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100206 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁阻 效应 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器，其特征在于：包括
用于为非晶丝提供稳定的交流正弦激励电流的恒流源激励电路；
用于将非晶丝两端高频电压信号进行一级放大的前置放大电路；
用于从一级放大后的高频电压信号中的获取低频电压信号的峰值检波电路；
用于将低频电压信号进行平滑滤波的低通滤波电路；
用来将非晶丝两端的直流电压信号与参考电压源提供的电压信号进行差分运算并放大的差分放大器；
用于为差分放大器提供一个参考电压信号的参考电压源；
参考电压信号与外部磁场为零时非晶丝两端的直流电压信号相等。
2.如权利要求1所述一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器，其特征在于：所述非晶丝为经过退火处理后的非晶丝。
3.如权利要求1所述一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器，其特征在于：所述恒流源激励电路为非晶丝提供的交流正弦激励电流为4mA-10mA。
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