[实用新型]一种薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201020612240.4 申请日: 2010-11-18
公开(公告)号: CN201877438U 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 顾瑜斌 申请(专利权)人: 顾瑜斌
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0264
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池,更具体地,本实用新型涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池。

背景技术

随着现代工业的发展,一方面加大对能源的需求,另一方面在常规能源的使用中释放出大量的二氧化碳气体,导致全球性的“温室效应”,为此各国力图摆脱常规能源的依赖,加速发展可再生能源,太阳能具有“取之不尽,用之不竭”的特点,而利用太阳能发电具有环保等优点,且不必考虑其安全性问题。所以在发达国家得到了高度重视,比如欧盟国家计划在2010年太阳能光电转换的电力所占总电力的1.5%,美国启动了“百万屋顶”计划,在能源短缺,环境保护问题日益严重的我国,低成本高效率地利用太阳能尤为重要。目前主要的太阳能电池技术基于晶体硅,包括多晶硅和单晶硅两种,它能满足太阳能使用的一般要求,但是它具有以下缺点:1、在生产中还需要相当大量的能量,在硅的冶炼过程中对环境造成环境很大的污染;2、太阳能转化效率有待提高;3、太阳能电池形状是单一的平板形,适用性受到了限制。

同时从固体物理学上讲,硅材料并不是最理想的光伏材料,这主要是因为硅是间接能带半导体材料,其光吸收系数较低。

发明内容

为了克服上述缺陷,本实用新型提供了一种薄膜太阳能电池,它主要包括基板,其特征在于:基板的表面涂有铝箔层,基板的背面电极层上依次设有缓冲层、光吸收层和窗口层;窗口层为n-型半导体,光吸收层为P-型半导体。

其中基板的厚度为2-3mm,光吸收层的厚度为1.5-2pm,缓冲层的厚度为50-150nm,窗口层的厚度为0.5-1μm。

使用时本实用新型的薄膜太阳能电池采用可塑性的基板,使太阳能电池可根据需要制造成各种形状,从而能适应各种使用场合,扩大了太阳能电池的适用性,同时光吸收层为P-型半导体Cu(In,Ca)(Se,S)2化合物形成,能有效提高太阳能转换效率,从现有的12-16%提高到17.5%以上,并具有良好的耐用性和工作持久性。

附图说明

图1为本实用新型薄膜太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。

如图1所示,本实用新型主要包括基板1,基板1的表面涂有铝箔层,基板的背面电极层上设有缓冲层2、光吸收层3和窗口层4,光吸收层3为P-型半导体Cu(In,Ca)(Se,S)2化合物形成。窗口层4为n-型半导体。基板1的厚度为2-3mm,光吸收层3的厚度为1.5-2pm,缓冲层2的厚度为50-150nm,窗口层4的厚度为0.5-1μm。

在实施中,本实用新型的薄膜太阳能电池采用可塑性的基板,使太阳能电池可根据需要制造成各种形状,从而能适应各种使用场合,扩大了太阳能电池的适用性,同时光吸收层3为P-型半导体Cu(In,Ca)(Se,S)2化合物形成,能有效提高太阳能转换效率,从现有的12-16%提高到17.5%以上,并具有良好的耐用性和工作持久性。

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