[实用新型]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种用于增加散热效能的发光二极管封装结构。

背景技术

随着发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)技术的进步，发光二极管可展现的亮度等级也越来越高，因其具有寿命长、省电、安全及反应快等特点，所以发光二极管的应用领域相当广泛。而一般高功率发光二极管的封装导电基板，主要采用陶瓷材料做为导电基板，但陶瓷导电基板的制作技术门坎高，且费用昂贵、脆弱易碎，因而造成发光二极管封装设计方式的限制和生产成本的增加。而，硅晶圆的材料便宜、制作技术已成熟，且在晶圆上容易设计结构，硅的热传导系数也与陶瓷材料相近。但即使硅导电基板材料成本低廉，然而其制作成本却比陶瓷导电基板昂贵许多，因此利用硅晶圆制作导电基板虽可改善热传导力与膨胀应力，但其高昂的价格使得终端产品不易普及化。

在已知的表面黏着型发光二极管结构中，发光二极管芯片设置区域由封装基座定义，仅留下一出光开口以供芯片的光线射出。当芯片发光时，会有部分非直接射出光线射入基座侧壁因而被吸收、或产生反射及散射的现象，而只有极少部分的非直接射出光线最后会从出光开口射出，大部分的光线在多次反射、散射过程中被封装材料吸收而消耗掉。因此发光二极管装置实际上的输出效率将因光能被吸收而降低，造成可观的能量浪费。而散热性不佳也为常见的问题，一般所使用的封装基座材料为不透光且耐热的材料，发光二极管在操作时常会伴随热量的累积，尤其是高功率的发光二极管的累积就更大，而温度升高对发光二极管的发光效率及质量会有不良影响。

如图1所示，已知发光二极管封装结构包括：至少两个导电基板10a、一用于连接上述两个导电基板10a且具有一反射凹槽的绝缘框体20a、一设置于其中一导电基板10a上且通过两个导线W而电性连接于上述两个导电基板10a之间的发光二极管30a、及一填入反射凹槽内且用于封装发光二极管30a的封装胶体40a。然而，已知绝缘框体20a通常以射出成型的方式来连接并包覆上述两个导电基板，因此上述已知的方法(射出成型的方法)限制了封装胶体40a的成形方式。另外，传统的导电基板10a的大部分面积都被包覆，因此散热效果不佳。所以，本发明人基于上述缺点，通过悉心观察且研究的，并结合理论运用，而提出一种设计合理的本实用新型。

实用新型内容

本实用新型的目的，在于提供一种发光二极管封装结构，其可用于增加散热效能。

为了解决上述技术问题，本实用新型的其中一种方案如下：

一种发光二极管封装结构，包括：一导电基板单元，其具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体及至少一个形成于上述两个导电本体之间的间隙；一第一绝缘单元，其具有至少一个填充于所述至少一个间隙内以用于连结上述两个导电本体的第一绝缘层；一第二绝缘单元，其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过所述至少一个第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面的开口；一发光单元，其具有至少一个穿过其中一开口而设置于其中一导电本体上的发光组件，其中所述至少一个发光组件电性连接于上述两个导电本体之间；以及一封装单元，其具有至少一个设置于该第二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光组件的封装胶体。

本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，上述两个导电本体的其中一个的底部具有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个底凹陷部内。

本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，每一个导电本体的底部具有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个底凹陷部内。

本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，上述两个导电本体的其中一个的侧面具有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个侧凹陷部内。

本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，每一个导电本体的侧面具有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部，且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个侧凹陷部内。

本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，所述至少一个第一绝缘层的上表面与上述两个导电本体的上表面齐平，且所述至少一个第一绝缘层的下表面与上述两个导电本体的下表面齐平。

本实用新型所述的发光二极管封装结构，其中，上述两个导电本体的其中一个的上表面具有多个排列成一环绕状以用于判断所述至少一个发光组件的放置位置是否正确的定位凹槽。