[实用新型]平板PECVD装置的挂钩

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制作设备技术领域，更具体地说，涉及一种平板PECVD装置的挂钩。

背景技术

硅单体太阳能电池的主要生产工艺包括清洗制绒、扩散制p-n结、PECVD镀减反射膜、丝网印刷、烧结制作电极等工序。其中，PECVD镀减反射膜主要是对硅片表面沉积SiNx:H薄膜，主要目的是减少太阳能电池表面对阳光的反射损失，并对硅片的表面及基体进行钝化，增加少子寿命，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术主要利用低温等离子体作为能量源，将硅片置于低压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经过一系列化学反应和等离子反应后，在硅片的表面形成固态薄膜。目前，PECVD加工硅片的过程中，主要是以NH₃和SiH₄为反应气体，沉积一层深蓝色的SiNx:H薄膜。

上述加工过程是将硅片放在PECVD装置的石墨框上进行的，硅片通过设置在石墨框上的挂钩挂在石墨框上进行镀减反射膜。现有的挂钩如附图1所示，包括夹持部，该夹持部包括第一夹持壁12和第二夹持壁11，且两者可形成夹持槽13；夹持部的底侧的两端分别设置有挂钩本体14和挂钩本体15，其中挂钩本体14的连接部142外凸于所述第一夹持壁12的外侧面，连接挂钩本体15的第二夹持壁11的连接部152外凸于第二夹持壁11的外侧面，上述连接部142的设置使得钩尖141离第一夹持壁12的距离(图中距离X)比较大，同理，连接部152的设置使得钩尖151离第二夹持壁11的距离较大。请参考参考附图2，以第二夹持壁11为例，当挂钩本体15支撑硅片16时，由于钩尖151距离第二夹持壁11的外侧面距离较大，导致钩尖151与硅片16接触的钩点离硅片的边缘距离较大，由于硅片的栅线设置在离边缘一定距离，且栅线是丝网印刷的银电极，如果钩尖离栅线太近，即硅片上与钩尖接触的钩点就离栅线更近，增加了硅片上钩点的漏电流。

另外，上述钩尖距离夹持槽13的底面的距离(图中距离Y)过大，当夹持槽13安装到石墨框上后，钩尖151支撑硅片16时，硅片16的上表面低于石墨框的底面，硅片16的上表面和石墨框的底面之间形成缝隙，这样在进行镀SiNx:H薄膜时，容易使得反应气体通过该缝隙进入到硅片16的背面(即图2中硅片的下表面)，导致背面也沉积一层薄薄的SiNx:H薄膜，这样当背面进行铝背场加工时，硅片背面的SiNx:H薄膜影响了铝浆与硅片之间的结合力，影响了铝背场的加工质量。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种平板PECVD装置的挂钩，以减少钩尖与夹持壁的外侧面之间的距离，使得钩点更加靠近没有栅线的边缘，降低硅片漏电流。

为了达到上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

一种平板PECVD装置的挂钩，用于支撑太阳能电池片生产用硅片，包括：

夹持部，该夹持部包括相对设置且形成夹持槽的第一夹持壁和第二夹持壁；

设置在所述夹持部的底侧的两端的第一挂钩本体和第二挂钩本体，所述第一挂钩本体与所述第一夹持壁连接的连接部内凹于所述第一夹持壁的外侧面，所述第二挂钩本体与所述第二夹持壁连接的连接部内凹于所述第二夹持壁的外侧面。

优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体与所述第一夹持壁连接的连接部的内侧和第二挂钩本体与所述第二夹持壁连接的连接部的内侧均为弧形边缘。

优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体的钩尖和第二挂钩本体的钩尖直径均为0.5mm。

优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，还包括第一折弯部和第二折弯部，所述第一折弯部设置在所述第一夹持壁的顶部，所述第二折弯部设置在第二夹持壁的顶部。

优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体的钩尖和第二挂钩本体的钩尖放置所述硅片后，所述硅片的上表面不低于所述夹持槽的底面。

优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体的钩尖和第二挂钩本体的钩尖均与所述夹持槽的底面处于同一平面上。