[实用新型]一种过流过压保护IC芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件的制造技术领域，特别是一种特种结构的保护IC芯片的制备技术领域。

背景技术

当今保护IC芯片制造中较先进的技术是采用一种N型的抛光外延片进行制备，其工艺步骤为：氧化、清洗、隔离、光刻、扩散、表面保护、蒸发、合金、测试、减薄、划片。该方法的不足之处为：产品所用材料为外延抛光片，价格昂贵，生产成本高；生产工艺中采用的是平面生产工艺，产品的结电容大；保护电压由所选材料的电阻率决定，不可调节；对于器件信号端输入的信号是负信号，方能进行线路的保护，而很多线路给出的告警信号是正信号，因此，为了实现保护功能，线路中必须增加相应的元器件，使得生产成本增加，线路变得复杂。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种漏电流小、结电容低的、信号端是正极性的质量稳定可靠的保护器件芯片。

本实用新型在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，在所述P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，在所述N扩散区表面局部分别设置P+扩散区，在部分所述P+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述设置有镀膜区的P+扩散区的外侧、其余P+扩散区的外表面及N扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO₂保护区。

本实用新型在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，减少大电流的冲击，提高导通的响应速度；P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，产品的电压由扩散条件决定，有效的解决了保护电压对材料电阻率的依赖性，可以通过调节，大幅度拓宽了对材料电阻率的使用范围，降低了产品的生产成本；N扩散区内局部分别设置P+扩散区，以形成触发及信号告警端口；在P扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，有效的降低了产品的结电容，产品的漏电流小。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

图1中，1为P-区，2、3、4、5为P扩散区、6、7为N扩散区、8、9、10、11为P+扩散区，12、13、14、15为玻璃钝化区，16、17、18为镀膜区，19、20、21、22、23为SiO₂保护区。

如图1所示，本实用新型在P-区1的两面局部分别矩阵设置P扩散区2、3、4、5，在P-区1及P扩散区2、3、4、5的另一面分别设置N扩散区6、7，在N扩散区6、7的外侧分别设置玻璃钝化区12、13、14、15。

在N扩散区6、7表面分别设置P+扩散区8、9、10、11，在P+扩散区8、9、11及N扩散区7的另一面分别设置镀膜区16、17、18，在P+扩散区8、9的外侧、P+扩散区10的表面及N扩散区6、7的表面分别设置PN结平面SiO₂保护区19、20、21、22、23。