[实用新型]一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构

权利要求书

1.一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构，其特征在于：其包括运算放大器，所述运算放大器的两输入端通过可选择开关接地、或连接工作电压，所述运算放大器的两个PMOS管中，一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc，另一个PMOS管的衬底电压连接电压型数模转换器的输出电压，所述运算放大器的输出端连接比较器的负极，所述比较器的正极连接基准电压V，所述比较器连接N位减数器，所述N位减数器外接时钟输入，所述减数器的输出端连接所述电压型数模转换器。

2.根据权利要求1所述的一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构，其特征在于：所述工作电压包括Vinn和通过控制输入为1的mos开关连接所述运算放大器的负极端，所述工作电压Vinp和Vinp，所述工作电压Vinp通过控制输入为1的mos开关连接所述运算放大器的正极端；所述运算放大器的正极、负极输入端分别通过控制输入为0的mos开关接地。

3.根据权利要求2所述的一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构，其特征在于：所述运算放大器的输出端分别连接控制输入为1的mos开关、控制输入为0的mos开关，所述控制输入为1的mos开关的输出端连接芯片内的元器件，所述控制输入为0的mos开关的输出端连接所述比较器的负极。

4.根据权利要求3所述的一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构，其特征在于：所述比较器的正极电压大于负极电压，比较器输出1，即高电平，当比较器的正极电压小于负极电压，比较器输出0，即低电平。