[实用新型]半导体晶圆片的清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体晶圆片的清洗设备，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。

背景技术

现有的湿法腐蚀工艺大都采用人工冲洗，从腐蚀槽中取出的晶圆片必须经过溢流槽后才能达到预冲槽，期间很可能发生酸水滴洒在槽中；四个槽高度相当而且紧密排列在一起，当有两批以上的圆片同时冲水时，溢流出来的水将会污染旁边的槽。

实用新型内容

本实用新型目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种半导体晶圆片的清洗设备。

本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案：

本实用新型半导体晶圆片的清洗设备，包括n个喷淋式预冲槽和高低冲水槽装置，喷淋式预冲槽和高低冲水槽装置依次交替设置，喷淋式预冲槽上还设置进水管，其中n为大于2的自然数。

所述高低冲水槽装置由第一高低冲水槽、第二高低冲水槽和升降装置构成，第一高低冲水槽、第二高低冲水槽分别设置于升降装置两端，升降装置使得第一、第二高低冲水槽之间保持高度差。

所述第一高低冲水槽上还设置进水管。

所述第一、第二高低冲水槽底部都设置流水槽。

本实用新型简化了作业流程，避免可水污染，两个高低冲水槽可以通过升降装置可以交替的上升下降，循环利用水，节约了成本。

附图说明

图 1 ：本实用新型结构图。

具体实施方式

如图1所示，半导体晶圆片的清洗设备，包括n个喷淋式预冲槽5和高低冲水槽装置，喷淋式预冲槽5和高低冲水槽装置依次交替设置，喷淋式预冲槽5上还设置进水管4，其中n为大于2的自然数。

所述高低冲水槽装置由第一高低冲水槽1、第二高低冲水槽2和升降装置3构成，第一高低冲水槽1、第二高低冲水槽2分别设置于升降装置3两端，升降装置3使得第一、第二高低冲水槽1、2之间保持高度差。

所述第一高低冲水槽1上还设置进水管4。

所述第一、第二高低冲水槽1、2底部都设置流水槽。