[实用新型]信号控制浪涌保护电路无效

专利信息
申请号: 201020622836.2 申请日: 2010-11-23
公开(公告)号: CN201854022U 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 陈小萍;邵锦江 申请(专利权)人: 上海伊莱克斯实业有限公司;上海翼磊电子科技发展有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H9/06
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 201718*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 信号 控制 浪涌 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及信号控制浪涌保护器,尤其涉及一种信号控制浪涌保护电路。

背景技术

随着科学技术的不断进步,为保障人们生活质量与生命财产的安全,创建长治久安得和谐社会。铁路交通的通信监控系统、金融服务机构、公共娱乐场所、企事业单位的安防监控、生活小区的楼宇自控系统等,大都安装了视频监控设备,绝大多数装于室外,易受雷击的影响,为保护设备的安全运行,一般都安装有信号控制浪涌保护器,而信号控制浪涌保护电路板是核心部件,当雷击产生的电压过大时极易破坏信号部分,由于现有的信号控制浪涌保护电路板对雷击的抗压功能还比较脆弱,保护电路易产生寄生电容,还存在一级保护与二级保护的能量匹配不好的弊病。而电涌保护器是串联在信号通道上,如果保护电路的第一级与第二级匹配不好,往往对信号传输的功率损耗较大,对信号控制产生不良的效果,因此有待进一步改善其电路结构与性能。

实用新型内容

为了克服上述现有技术存在的缺陷,本实用新型提供一种信号控制浪涌保护电路,采用两级防护,具有抗击雷电浪涌大电流的功能,电路一级与二级匹配良好,保护电子监控设备的效果更理想。

为了实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:

信号控制浪涌保护电路,设置于两信号线间,它包括一级保护的陶瓷气体放电管,二级保护的全桥电路与瞬态抑制二极管,以及连接在一级保护与二级保护之间的限流电阻。

所述全桥电路由四只整流二极管串并联组成,所述瞬态抑制二极管连接在所述全桥电路的桥堆中间,这样可大大降低寄生电容,相应降低了插入损耗,对信号传输的影响减小。

进一步,所述限流电阻有两个,分别连接在上述两信号线上并与全桥电路串联。

较佳地,所述瞬态抑制二极管选用半导体放电管,它能使一级保护与二级保护间的能量相匹配,降低了信号在传输过程中的功率损耗;

所述半导体放电管的两端对地设置了两只二极管,所述两只二极管的一端分别连接半导体放电管,另一端接地,利用二极管的单向导通作用可以防止大地带来的信号干扰。

进一步,所述陶瓷气体放电管为三极放电管,它的公共端接地,另外两端直接与所述两信号线相连,可与大地构成正向与反向两个回路,起到泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用;当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时,两极间的间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态,将过大的雷电电流及时泄流出去,导电后放电管两极间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平,减小雷电过压对电路的影响。

本实用新型的有益效果是,在二级保护的电路中增加了全桥电路,大大降低了寄生电容,相应降低了插入损耗;瞬态抑制二极管选用半导体放电管使一级保护与二级保护能量匹配更好,有效降低了信号在两级间传输的功率损耗,有利于控制更精确;

二级保护中的瞬态二极管对地增加了二极管使保护电路的防信号干扰能力更强。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式:

为了使本实用新型的创作特征、技术手段与达成目的易于明白理解,以下结合具体实施例进一步阐述本实用新型。

实施例:

参看图1,信号控制浪涌保护电路,设置于信号线A与信号线B之间,它包括一级保护的陶瓷气体放电管G1,二级保护的全桥电路与瞬态抑制二极管TVS1,以及连接在信号线A上的限流电阻R1与连接信号线B上的限流电阻R2。

陶瓷气体放电管G1为三极放电管,它的公共端接地,另外两端分别与信号线A、信号线B相连,可与大地构成正向与反向两个回路:信号线A-陶瓷气体放电管G1-接地端GND和信号线B-陶瓷气体放电管G1-接地端GND,起到泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用,无论正向还是反向的瞬态强电流袭击设备都可得到保护;当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时,两极间的间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态,将过大的雷电电流及时泄放出去。

所述全桥电路由整流二极管D1、D2、D3、D4串并联组成,在全桥电路的桥堆中间设置半导体放电管TVS1,半导体放电管TVS1的一端同时连接整流二极管D1的正向输入端与整流二极管D2的正向输入端,另一端同时连接整流二极管D3的负向输出端与整流二极管D4的负向输出端,整流二极管D1的负向输出端与整流二极管D3的正向输入端相连于信号线A上,整流二极管D2的负向输出端与整流二极管D4的正向输入端相连于信号线B上。

通过试验得出,瞬态抑制二极管选用半导体放电管TVS1能使一级保护与二级保护间的能量相匹配,降低了信号在传输过程中的功率损耗。

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