[实用新型]改良式硅芯片承载装置无效
申请号: | 201020624458.1 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN201868407U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 杨新兴;张育升;张颢骞;叶耿伟;陈威有;林俊良 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;张军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改良 芯片 承载 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种硅芯片承载装置,特别是涉及这样一种改良式硅芯片承载装置,该承载装置中的承载板体具有钻孔,可使供气单元提供的气流通过,以破除硅芯片与承载板体之间的真空吸附状态。
背景技术
在太阳能产业中,硅芯片的传送过程在产能的提升或产品合格率及缺陷上均扮演着举足轻重的角色。换言之,承载硅芯片的承载板体与吸取硅芯片的吸盘之间的配合必须效率化及最佳化。然而,公知的柏努力吸盘在吸取承载板体上的硅芯片常需耗时10至15秒。如此一来,不仅对产能有很大的影响,更容易因该公知的承载板体具有定位孔的设计,而使得硅芯片严重回镀(back-plating)。有鉴于此,本申请的发明人提出了一种改良式硅芯片承载装置,以改善上述问题。
实用新型内容
针对公知技术的问题,本实用新型的目的就是提供一种改良式硅芯片承载装置,在该承载装置中,承载板体具有至少一个钻孔以及至少一个导槽,并通过供气单元提供气流以通过钻孔,从而破除硅芯片与承载板体之间的真空吸附状态。
参照本实用新型的目的,提出一种改良式硅芯片承载装置,其包括承载板体及供气单元。具体地说,承载板体具有至少一个钻孔,而承载板体与被承载的硅芯片呈真空吸附状态。供气单元设置在承载板体的周围,并提供气流以通过上述钻孔,从而破除承载板体与硅芯片之间的真空吸附状态。
具体地说,钻孔的数量及形式并不具有局限性,不论是以直钻或是任何形式斜钻的方式都可以,该斜角在0至90度的范围内,且承载板体由石墨和碳纤聚合材料所组成的复材板制成。再者,供气单元设置的位置可调整,只要供气单元所提供的气流可顺利地通过承载板体的钻孔即可。同样,供气单元的气流的大小及方向与钻孔配合,从而可调整。最后,承载板体与硅芯片之间的真空吸附力被解除后,可利用吸附单元来快速吸取硅芯片。
通过上述说明,根据本实用新型的改良式硅芯片承载装置可具有下述优点:
(1)依据本实用新型的改良式硅芯片承载装置,当承载板体与硅芯片之间的真空吸附状态被破除时,吸附单元可快速吸取硅芯片。所谓快速吸取对本实用新型而言,被定义为约0.2秒。
(2)依据本实用新型的改良式硅芯片承载装置,承载板体并未设有定位孔,因而可改善硅芯片严重回镀的问题。
附图说明
图1为本实用新型的改良式硅芯片承载装置的承载板体的示意图。
图2为本实用新型的改良式硅芯片承载装置的示意图。
图3为本实用新型的改良式硅芯片承载装置的供气单元及吸附单元的示意图。
主要组件符号说明:
100:承载板体;
110:钻孔;
120:导槽;
200:硅芯片;
300:供气单元;
310:气流;
400:吸附单元。
具体实施方式
根据本实用新型的技术特征,以下将参照相关附图图说明根据本实用新型的改良式硅芯片承载装置的实施例,为便于理解,下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来说明。
首先,请参阅图1,该图为本实用新型的改良式硅芯片承载装置的承载板体的示意图。如图1所示,本实用新型的改良式硅芯片承载装置的承载板体100具有至少一个钻孔110及至少一个导槽120,所述钻孔110的斜角在0至90度的范围内,所述斜角是钻孔110与承载板体100的平面法线的夹角。换言之,本实用新型的承载板体100上的钻孔110可以只有一个,当然也可以布满整个承载板体100,且钻孔110不论采用直钻或任何形式斜钻的方式,皆为本实用新型所欲主张的技术范围的样态。
因此,在图1中举例示出承载板体100具有4个钻孔110及4个导槽120的例子,且钻孔110及导槽120有共同的几何中心,钻孔110及导槽120都由该几何中心往外呈放射状排列。其中,导槽120的功能在于将从外部所导入的气流均匀化且可用于释放多余的气流,以使承载板体100内分布的气流平稳。当然,无论是钻孔110或导槽120的数量或排列的位置都仅为举例,并不具限制性。值得注意的是,本实用新型的承载板体100由石墨和碳纤聚合材料所组成的复材板制成,且承载板体100并未设有定位孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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