[实用新型]用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构无效
申请号: | 201020625325.6 | 申请日: | 2010-11-24 |
公开(公告)号: | CN201877447U | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 张一熙;梅长锜;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0256;H01L31/06;H01L31/072;H01L31/052;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 阻隔 红外光 薄膜 太阳能电池 组成 结构 | ||
1.一种用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于至少包含:
一第一半透明导电金属层,具有一反射红外光的特性,且该第一半透明导电金属层的一面是照光面,用以接收一自然光,并用以取出电能与提升光电转换的效率;
一p-i-n半导体层,其形成于该第一半透明导电金属层下方,用以产生电子空穴对,以提供光电流并增加光吸收率;以及
一透明基板,其形成于该p-i-n半导体层下方。
2.如权利要求1所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其进一步包含一第二半透明导电金属层,形成于前述透明基板与p-i-n半导体层之间。
3.如权利要求1所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的透明基板的材料为玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板或是透明可挠性的材料。
4.如权利要求1所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一半透明导电金属层及第二半透明导电金属层为单一过渡金属或铝。
5.如权利要求1所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一半透明导电金属层及第二半透明导电金属层包括一第一透明导电氧化物以及一过渡金属或铝的其中之一。
6.如权利要求1所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一半透明导电金属层及第二半透明导电金属层包括一第一透明导电氧化物、一过渡金属或铝的其中之一以及一第二透明导电氧化物。
7.如权利要求4至6中任一权利要求所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的过渡金属为银或镍。
8.如权利要求7所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的银的厚度介于3nm~25nm之间。
9.如权利要求5或6所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一透明导电氧化物及第二透明导电氧化物为氧化锌铝、氧化锌镓或氧化锌硼。
10.一种用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于至少包含:
一第一半透明导电金属层,具有一反射红外光的特性,且该第一半透明导电金属层的一面是照光面,用以接收一自然光,并用以取出电能与提升光电转换的效率;
一n-i-p半导体层,其形成于该第一半透明导电金属层下方,用以产生电子空穴对,以提供光电流并增加光吸收率;以及
一透明基板,其形成于该n-i-p半导体层下方。
11.如权利要求10所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其进一步包含一第二半透明导电金属层,形成于前述透明基板与n-i-p半导体层之间。
12.如权利要求10所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的透明基板的材料为玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板或是透明可挠性的材料。
13.如权利要求10所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一半透明导电金属层及第二半透明导电金属层为单一过渡金属或铝。
14.如权利要求10所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一半透明导电金属层及第二半透明导电金属层包括一第一透明导电氧化物以及一过渡金属或铝的其中之一。
15.如权利要求10所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一半透明导电金属层及第二半透明导电金属层包括一第一透明导电氧化物、一过渡金属或铝的其中之一以及一第二透明导电氧化物。
16.如权利要求13至15中任一权利要求所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的过渡金属为银或镍。
17.如权利要求16所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的银的厚度介于3nm~25nm之间。
18.如权利要求14或15所述的用于阻隔红外光的薄膜太阳能电池组成结构,其特征在于其中所述的第一透明导电氧化物及第二透明导电氧化物为氧化锌铝、氧化锌镓或氧化锌硼。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉富新能源科技(上海)有限公司,未经吉富新能源科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020625325.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的