[实用新型]一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机

权利要求书

1.一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，其特征在于，所述真空镀膜室内配置有电弧靶和射频磁控溅射装置。

2.如权利要求1所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述电弧靶位于所述真空镀膜室的一个侧面的内壁上，所述射频磁控溅射装置位于电弧靶所在真空镀膜室侧面的相对面中部。

3.如权利要求2所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述电弧靶呈矩形，数量为四，电弧靶互相隔开，其中两个电弧靶位于真空镀膜室侧面上靠近该侧面顶端的位置，另外两个电弧靶则位于所述真空室镀膜室侧面上靠近该侧面底端的位置；所述射频磁控溅射装置数量为一。

4.如权利要求3所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述射频磁控溅射装置包括一射频磁控溅射靶和一射频匹配器，所述射频磁控溅射靶呈平面形，其一侧与真空镀膜室相连，另一侧与所述射频匹配器连接。

5.一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，其特征在于，所述真空镀膜室内配置有直流磁控溅射装置和射频磁控溅射装置。

6.如权利要求5所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述直流磁控溅射装置包括一个柱型直流磁控溅射靶和一矩形平面直流磁控溅射靶；所述柱型直流磁控溅射靶的一端连接真空镀膜室的顶面中心；所述平面直流磁控溅射靶位于真空镀膜室的前端或后端。

7.如权利要求5所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述直流磁控溅射装置包括一个柱型直流磁控溅射靶和四个圆形平面直流磁控溅射靶；所述柱型直流磁控溅射靶的一端连接真空镀膜室顶面中心；所述四个圆形平面直流磁控溅射靶互相隔开，并位于真空镀膜室的前端或后端。

8.如权利要求6或7所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述射频磁控溅射装置固定在真空镀膜室前表面内壁中部；所述射频磁控溅射装置包括一射频磁控溅射靶和一射频匹配器，所述射频磁控溅射靶呈平面形，其一侧与真空镀膜室相连，另一侧与所述射频匹配器连接。