[实用新型]一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套无效

专利信息
申请号: 201020632855.3 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN201890950U 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 李留臣 申请(专利权)人: 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 213200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 直拉式硅单晶 生长 气冷
【权利要求书】:

1.一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,包括同轴设置的法兰一(1)、内套筒(4)和外套筒(9),所述法兰一(1)的盘体上开有一径向方向的充气孔(2),所述内套筒(4)固定在所述法兰一(1)盘体的内部侧壁上,在所述法兰一(1)的盘体内侧开有环形凹槽一,所述环形凹槽一与内套筒(4)形成环形且密闭的缓冲腔(3),所述充气孔(2)与所述缓冲腔(3)相通;所述外套筒(9)固定在法兰一(1)的盘体下端面上且位于内套筒(4)的外侧,所述外套筒(9)和内套筒(4)之间形成环形的充气缝隙(10),所述充气缝隙(10)与所述缓冲腔(3)相通。

2.按照权利要求1所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述外套筒(9)的上端固定有法兰二(7),所述法兰二(7)与所述法兰一(1)通过螺栓固定连接,在所述法兰二(7)上且位于所述外套筒(9)的内侧呈环形分布均匀开有多个初次分流孔(6),在法兰一(1)的盘体上且位于缓冲腔(3)和法兰二(7)之间开有环形槽,并通过所述环形槽和初次分流孔(6)使缓冲腔(3)和充气缝隙(10)相通。

3.按照权利要求2所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述充气缝隙(10)内,在外套筒(9)和内套筒(4)之间焊接有环形的隔板(8),所述隔板(8)上均匀开通有多个二次分流孔(5)。

4.按照权利要求3所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述内套筒(4)下端伸出在所述外套筒(9)的下方,并在所述内套筒(4)的下端部固定有导流罩(11),所述导流罩(11)为上小下大的锥形形状。

5.按照权利要求1、2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述缓冲腔(3)的高度大于所述充气孔(2)的高度。

6.按照权利要求1、2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述内套筒(4)与所述法兰一(1)焊接连接。

7.按照权利要求2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述法兰一(1)的下端面上开有用于安装法兰二(7)的环形凹槽二,所述法兰二(7)设置在所述环形凹槽二内。

8.按照权利要求2、3或4所述直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,所述外套筒(9)与所述法兰二(7)焊接连接。

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