[实用新型]一种晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆清洗装置，尤其涉及一种能够监测晶圆转动情况的晶圆清洗装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般说来，在半导体的整个制造工艺中，高达20％的步骤为清洗步骤，清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。

在目前半导体器件的制造工艺中，常采用化学机械研磨来进行金属或介质膜的整体平整。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是机械研磨和化学反应组合的技术，化学机械抛光技术借助超微粒的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的平面。化学机械抛光技术是集成电路(IC)向细微化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物，已经成为半导体制造行业的主流技术，也是晶片向200mm、300mm乃至更大的直径过度、提高生产效率、降低制造成本以及衬底全局化平坦化必备的工艺技术。

在化学机械研磨工艺中会使用到研磨浆料，例如二氧化铈、氧化铝、或者气体或胶态二氧化硅之类的颗粒，以及适用于化学机械研磨处理的表面活性剂、侵蚀剂和其他添加剂。在化学机械研磨处理后，由抛光浆料的颗粒、添加至浆料中的化学品、以及抛光浆料的反应产生物所构成的污染物会留在晶圆的表面上。这些污染物必须在进入到下一个工艺之前都清洗干净，以避免降低器件的可靠性，以及对器件引入缺陷。

在现有清洗设备中，晶圆放入清洗槽中，在晶圆转动机构的带动下自身旋转，并利用清洗刷进行刷洗。如果晶圆转动机构发生故障无法转动晶圆或晶圆转速不正常时，清洗工作将无法顺利进行下去，甚至损伤晶圆。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能够实时监测清洗过程中晶圆是否转动的清洗装置。

为解决上述问题，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：清洗槽；转动机构，所述转动机构一端固定于清洗槽，另一端与晶圆的侧边接触；进液装置，配置于所述清洗槽内，设置于所述晶圆上方；清洗刷，所述清洗刷的刷头在清洗过程中与所述晶圆接触；还包括，晶圆转动监测装置，配置于所述清洗槽内，位于所述晶圆的侧面。

进一步的，所述晶圆转动监测装置包括信号发射端与信号接收端，所述信号发射端与所述信号接收端位置正对。

进一步的，所述信号发射端和所述信号接收端之间的连线垂直于所述晶圆，且所述连线到晶圆圆心的垂直距离小于晶圆的半径，大于所述晶圆的缺角标记内顶点到所述晶圆圆心的距离。

所述信号接收端接收所述信号发射端发出光线信号。

进一步的，所述光线信号为激光。

进一步的，所述光线信号为LED光。

可选的，所述信号接收端接收所述信号发射端发出声纳信号。

进一步的，所述转动机构包括至少三个固定头，所述固定头与晶圆的侧边接触，固定所述晶圆，且能够带动所述晶圆旋转。

进一步的，所述清洗刷至少包括两个，在清洗过程中分别与所述晶圆的正面和背面相接触。

本实用新型所述晶圆清洗装置增加转动监测装置，通过在晶圆清洗装置中设置晶圆监测装置，监测晶圆转动过程中对转动监测装置信号的周期性改变，当晶圆停止转动或者转速超出设定范围时发出报警，从而实时监测清洗过程中晶圆是否转动及转速情况的转动监测装置。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中所述晶圆清洗装置的结构示意图。

图2为本实用新型一实施例中所述晶圆清洗装置的一状态图。

图3为本实用新型一实施例中晶圆转动监测装置监测信号示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。

本实用新型的核心思想是：通过在晶圆清洗装置中设置晶圆监测装置，实时监测清洗过程中晶圆是否转动及转动速度情况的转动监测装置，当晶圆停止转动或者转速超出设定范围时发出报警。