[实用新型]逆变晶闸管芯片无效
| 申请号： | 201020644583.9 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN201910424U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 润奥电子(扬州)制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225006 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶闸管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.逆变晶闸管芯片，包括依次层叠的钼基片(8)、阳极(7)、长基区(6)和短基区(5)，该逆变晶闸管芯片的放大门极(1)、门极(2)和阴极(3)设置在所述短基区(5)的上表面，其特征是，所述放大门极(1)布置成渐开线形式。
2.根据权利要求1所述的逆变晶闸管芯片，其特征是，该逆变晶闸管芯片采用的原始硅片为NTD硅单晶，该NTD硅单晶的电阻率为58-72Ω.cm，厚度为475-495μm，其中所述长基区(6)的厚度为245-265μm。
3.根据权利要求1所述的逆变晶闸管芯片，其特征是，该逆变晶闸管芯片的渐开线形式的放大门极(1)的长度为70-90mm，宽度为300-500μm。
4.根据权利要求1所述的逆变晶闸管芯片，其特征是，该逆变晶闸管芯片的阴极(3)的短路点呈渐开线排布，所述短路点的直径为100-130μm，相邻所述短路点的间距为400-600μm。
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