[实用新型]透明导电材料无效
| 申请号： | 201020646453.9 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN202037947U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 唐根初 | 申请（专利权）人： | 深圳欧菲光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/06 | 分类号： | B32B27/06;B32B27/36;B32B9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518106 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一透明导电材料，其特征在于，它由柔性透明基材聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(1)、及其表面依次沉积的第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)、第三层光学薄膜(4)和ITO薄膜(5)组成，其反射率与其表面ITO被蚀刻后的反射率差小于或等于1.5％，而且其方块电阻低和透过率高。
2.如权利要求1所述的一透明导电材料，其特征在于，PET(1)可以为单层PET也可以为双层PET的复合体，厚度范围0.020～0.2mm，其一个表面或两个可以存在硬化和防眩等处理。
3.如权利要求1所述的一透明导电材料，其特征在于，第一层光学薄膜(2)为低折射率电介质薄膜，折射率范围为1.38～1.6，其厚度范围为0～25nm。
4.如权利要求1所述的一透明导电材料，其特征在于，第二层光学薄膜(3)为中折射率或者高折射率电介质薄膜，折射率范围为1.6～2.4，其厚度范围为5～30nm。
5.如权利要求1所述的一透明导电材料，其特征在于，第三层光学薄膜(4)为低折射率电介质薄膜，折射率范围为1.38～1.6，其厚度范围为20～60nm。
6.如权利要求1所述的一透明导电材料，其特征在于，ITO薄膜(5)材质为ITO，其厚度范围为20～40nm。
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