[实用新型]脑深部痫性放电引导电极无效
| 申请号： | 201020647655.5 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN201880211U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 梁树立 | 申请（专利权）人： | 梁树立 |
| 主分类号： | A61N1/04 | 分类号： | A61N1/04;A61N1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048 北京市阜*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脑深部痫性 放电 引导 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种脑深部痫性放电引导电极，包括长条形硅胶主体、分别位于硅胶主体两端的头端触点和末端电极片、及嵌设于所述硅胶主体内的导线，其特征在于：所述导线连接所述头端触点和末端电极片，所述硅胶主体宽度均匀，所述头端触点固定于所述硅胶主体上，所述末端电极片呈圆形片状，其面积大于所述头端触点的面积。
2.根据权利要求1所述的脑深部痫性放电引导电极，其特征在于：所述头端触点突起于所述硅胶柱体的表面。
3.根据权利要求2所述的脑深部痫性放电引导电极，其特征在于：所述末端电极片与所述硅胶主体分离设置，其与自硅胶主体一端伸出的导线连接。
4.根据权利要求3所述的脑深部痫性放电引导电极，其特征在于：所述头端触点的数量与所述导线数量相同，所述每一导线连接一个头端触点。
5.根据权利要求4所述的脑深部痫性放电引导电极，其特征在于：所述头端触点与所述末端电极片分别位于颅骨内外两侧。
6.根据权利要求5所述的脑深部痫性放电引导电极，其特征在于：所述头端触点呈矩形片状，其数量为一个或多个，并沿着硅胶主体的纵长方向排列设置于硅胶主体的一端。
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