[实用新型]高绝缘小型真空灭弧室有效

专利信息
申请号: 201020652994.2 申请日: 2010-12-10
公开(公告)号: CN201877353U 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 张亚丽 申请(专利权)人: 陕西宝光真空电器股份有限公司
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 721006*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 小型 真空 灭弧室
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于真空开关技术领域,涉及一种高绝缘小型真空灭弧室。

背景技术

激烈的市场竞争要求真空开关向高性能、小型化、低成本的方向发展,作为真空开关的核心器件真空灭弧室也必然面临小型化的压力,现有小型灭弧室由于结构的限制,内部电场分布不合理,所以绝缘性能不高。如何突破灭弧室内部绝缘设计惯例,进一步提高内部电场分布的合理性,进而提高绝缘性能是厂家争相研究的课题。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种高绝缘小型真空灭弧室,降低了灭弧室内电场强度,绝缘性能好。

本实用新型采用的技术方案是,一种高绝缘小型真空灭弧室,灭弧室外壳两端分别相对设置有静导电杆与动导电杆,静导电杆与动导电杆的内端分别设置有触头,两个触头的背面分别设置有内卷曲的屏蔽罩,且屏蔽罩与触头的接触面为凹面;两个触头的侧面设置有屏蔽筒,屏蔽筒的两端向内卷曲,静导电杆的背面设置有均压罩,均压罩的末端向内卷曲。

本实用新型的特征还在于,屏蔽筒与屏蔽罩之间最接近的面为圆弧面。

均压罩与屏蔽筒之间最接近的面为圆弧面。

本实用新型的高绝缘小型真空灭弧室,屏蔽罩能对触头的电场改善起到至关重要的作用。屏蔽罩将触头的侧面和底面包在屏蔽罩内,大大降低了触头边缘的电场强度,从而使得灭弧室内最强点的电场强度明显降低,灭弧室绝缘水平明显提高。由于均压罩与屏蔽筒之间的最近距离为均压罩圆弧上的点与屏蔽筒圆弧上的点之间的距离,屏蔽筒与屏蔽罩之间的最近距离也为屏蔽筒圆弧上的点与屏蔽罩圆弧上的点之间的距离,所以相互发生电场击穿现象时受损面积很小,避免了部件大范围的损坏。

附图说明

图1为本实用新型高绝缘小型真空灭弧室的结构示意图。

图中,1.均压罩,2.静导电杆,3.屏蔽筒,4.触头,5.屏蔽罩,6.动导电杆,7.灭弧室外壳。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。

本实用新型高绝缘小型真空灭弧室的结构,如图1所示,在灭弧室外壳7两端分别相对设置有静导电杆2与动导电杆6,静导电杆 2与动导电杆6的内端分别设置有触头4,两个触头4的背面设置有内卷曲的屏蔽罩5,且屏蔽罩5与触头4的接触面为凹面;在灭弧室外壳7静端内、静导电杆 2的背面设置有均压罩1,均压罩1的末端向内卷曲,在灭弧室外壳7内、两个触头4的侧面设置有屏蔽筒3,屏蔽筒3的两端向内卷曲。

本实用新型中,屏蔽筒3与屏蔽罩5之间最接近的面为圆弧面,均压罩1与屏蔽筒3之间最接近的面为圆弧面。

本实用新型的高绝缘小型真空灭弧室,屏蔽罩5能对触头4的电场改善起到至关重要的作用。在灭弧室内,触头4侧面的电场强度最强,屏蔽罩5将触头4的侧面和底面包在屏蔽罩5内,所以大大降低了触头4边缘的电场强度,从而使得灭弧室内最强点的电场强度明显降低,灭弧室绝缘水平明显提高。由于均压罩1与屏蔽筒3之间的最近距离为均压罩1圆弧上的点与屏蔽筒3圆弧上的点之间的距离,所以均压罩1与屏蔽筒3之间电场强度最强的位置在均压罩1与屏蔽筒3最近距离的两个点处,所以均压罩1与屏蔽筒3之间发生电场击穿现象时面积很小,避免了部件大范围的损坏。同样,屏蔽筒3与屏蔽罩5之间的最近距离也为屏蔽筒3圆弧上的点与屏蔽罩5圆弧上的点之间的距离,避免了部件大范围的损坏。

本实用新型高绝缘小型真空灭弧室,通过降低了触头的电场强度,合理的设置各部件之间的最短距离,达到电场优化的目的。

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