[实用新型]晶体振荡器有效
| 申请号： | 201020656390.5 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN201898477U | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 皮常明;田鑫;范红梅;张远 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体振荡器 | ||
1.一种晶体振荡器，包括晶体和晶体驱动电路，其特征在于，所述晶体驱动电路包括第一晶体管和向所述第一晶体管提供偏置电压的偏置电路，所述偏置电路控制所述第一晶体管的偏置电流，所述第一晶体管根据所述偏置电流向所述晶体提供振荡电压，所述偏置电路包括两个反接的二极管。
2.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述二极管是PN结二极管或MOS管的寄生二极管。
3.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶体驱动电路还包括第一电流镜电路和第二电流镜电路，所述第一、第二电流镜电路将电流源的电流提供给所述第一晶体管。
4.如权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第一电流镜电路包括第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接直流电源，所述第三晶体管的栅极连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极连接所述第二电流镜电路，所述第一、第二、第三晶体管的源极接地，所述第一晶体管的漏极和栅极分别连接所述晶体的两端。
5.如权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述电流控制电路包括第一电容、第二电容、一电阻、所述第二晶体管及所述直流电源，所述第一电容连接于所述第一、第二晶体管的栅极之间，所述第二电容连接于所述第三晶体管的栅极和地之间，所述电阻连接于所述第二晶体管的栅极和漏极之间。
6.如权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第二电流镜电路包括第四晶体和第五晶体，所述第四晶体管的栅极连接所述第五晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极连接所述第一电流镜电路，所述第四晶体管的栅极连接所述第四晶体管的漏极，所述第五晶体管的漏极连接所述第一晶体管的栅极，所述第四、第五晶体管的源极接地。
7.如权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第四晶体管的栅极与源极之间连接第三电容。
8.如权利要求6或7所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第四、第五晶体管为PMOS晶体管。
9.如权利要求3或4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第二、第三晶体管为NMOS晶体管。
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