[实用新型]交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管

权利要求书

1.一种交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的交流表面贴片式垂直结构LED芯片包括，通孔支持衬底和多个直流的垂直结构LED单元芯片；其中，所述的通孔支持衬底包括绝缘支架，所述的绝缘支架的预定位置上形成多个通孔，所述的通孔中填充金属栓，所述的绝缘支架的第二主表面上形成互相电绝缘的N-电极和P-电极；所述的绝缘支架的与所述的第二主表面相对的第一主表面上形成互相电绝缘的N电极-金属膜、P电极-金属膜和多个金属膜；所述的N-电极和P-电极分别通过所述的金属栓与所述的N电极-金属膜和P电极-金属膜电连接；所述的直流垂直结构LED单元芯片包括所述的绝缘支架的第一主表面上的多个所述的金属膜、层叠在所述的金属膜上的半导体外延薄膜、钝化层和金属电极；其中，所述的金属电极把所述的N电极-金属膜、多个所述的半导体外延薄膜和所述的P电极-金属膜按照预定的方式形成正反向并联或桥式整流的电连接，形成交流表面贴片式垂直结构LED芯片。

2.根据权利要求1的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的半导体外延薄膜包括：第一类型限制层，活化层和第二类型限制层；所述的活化层层叠在所述的第一类型限制层和所述的第二类型限制层之间。

3.根据权利要求1的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的钝化层覆盖所述的通孔支持衬底的第一主表面、所述的金属膜和所述的半导体外延薄膜；所述的半导体外延薄膜的所述的第一类型限制层的上方的预定的位置上的所述的钝化层中形成窗口，使得所述的第一类型限制层暴露；在所述的金属膜的上方的所述的钝化层上的预定的位置上形成窗口，所述的金属膜在所述的窗口中暴露；所述的N电极-金属膜相邻的预定的所述的金属膜上的所述的半导体外延薄膜的所述的N类型限制层通 过所述的金属电极与所述的N电极-金属膜形成电连接。

4.根据权利要求3的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的P电极-金属膜通过所述的金属电极与相邻的预定的有所述的半导体外延薄膜的所述的金属膜形成电连接，从而与所述的半导体外延薄膜的所述的P-类型限制层形成电连接。

5.根据权利要求3的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，一个半导体外延薄膜层叠在所述的P电极-金属膜上。

6.根据权利要求1的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的半导体外延薄膜的材料是从一组材料中选出，该组材料包括：(1)氮化镓基材料；(2)磷化镓基材料；(3)镓氮磷基材料；(4)氧化锌基材料。

7.根据权利要求1的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的绝缘衬底包括，硅绝缘支架、或陶瓷绝缘支架。

8.根据权利要求7的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的陶瓷绝缘支架包括，氮化铝绝缘支架，或氧化铝绝缘支架。

9.根据权利要求1的交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的垂直结构LED单元芯片的半导体外延薄膜的P-类型限制层层叠在所述的金属膜或所述的P电极-金属膜上。