[实用新型]生产碳化硅的去杂质沉降池无效
申请号: | 201020657186.5 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN201942522U | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 徐祥国 | 申请(专利权)人: | 天津市明祥科技发展有限公司 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 杨红 |
地址: | 301721 天津市武清*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生产 碳化硅 杂质 沉降 | ||
1.一种生产碳化硅的去杂质沉降池,其特征是:主要由储料池,搅拌机和支架构成,所述储料池形状呈六方体,所述储料池主要由水泥池体和保护层构成整体,所述保护层沿池的底部、内壁、池台口及外壁包覆至整个储料池表面,所述池体上方设有支架,支架上固定搅拌机。
2.根据权利要求1所述的生产碳化硅的去杂质沉降池,其特征是:所述搅拌机的搅拌轴和搅龙设有PVC防护层。
3.根据权利要求1所述的生产碳化硅的去杂质沉降池,其特征是:所述保护层采用玻璃钢层或PVC层。
4.根据权利要求1或2所述的生产碳化硅的去杂质沉降池,其特征是:所述储料池由若干个储料池排列呈蜂窝状排布。
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