[实用新型]信号放大电路有效
| 申请号： | 201020658049.3 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN201910771U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 江猛;张周平;张姗;杜坦;江石根 | 申请（专利权）人： | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H04B7/185 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 孙东风 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 信号 放大 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种信号放大电路，其特征在于，所述信号放大电路包括第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜，所述第一电流镜包括第一、二NMOS管；第二电流镜包括第三、四NMOS管；电流放大模块为电流镜结构，其包括第一、二PMOS管；
第一、二、三、四NMOS管的源极接地，第一、二NMOS管的栅极接第一NMOS管的漏极，第二NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极、第三、四NMOS管的栅极接第三NMOS管的漏极，第三NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极，第一、二PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极连接，第一、二PMOS管的源极接VDD，第四NMOS管的漏极接第三电阻一端，该第三电阻另一端接VDD，第一NMOS管的漏极与第一电阻和一第二电阻连接，第一电阻另一端接电容一端，电容另一端接入待放大信号，第二电阻另一端接第四NMOS管的漏极。
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