[实用新型]脉冲斜率控制电路

权利要求书

1.一种脉冲斜率控制电路，其特征在于，包括：第一功率开关(1)、第一电容(C2)、第一充电电路(2)、第一稳压电路(3)、第二功率开关(4)、第二电容(C4)、第二充电电路(5)、第二稳压电路(6)和直流电源，其中：

所述第一功率开关(1)的第二端与第二功率开关(4)的第一端相连接，所述第一功率开关(1)的第一端作为电压输入端，第二端作为电压输出端，且所述第二功率开关(4)的第二端接地；

所述第一功率开关(1)的第一端与第一控制端之间连接有所述第一电容(C2)，所述第一功率开关(1)的第二控制端输入有第一控制信号；所述第一充电电路(2)一端连接在所述第一电容(C2)与第一功率开关(1)第一控制端的连接点上，另一端与直流电源相连接，且所述第一充电电路(2)的控制端输入有第二控制信号；所述第一稳压电路(3)位于所述第一功率开关(1)的第一控制端与第二端之间；

所述第二功率开关(4)的第一端与第一控制端之间连接有所述第二电容(C4)，所述第二功率开关(4)的第二控制端输入有第三控制信号；所述第二充电电路(5)一端连接在所述第二电容(C4)与第二功率开关(4)第一控制端的连接点上，另一端与直流电源相连接，且所述第二充电电路(5)的控制端输入有第四控制信号；所述第二稳压电路(6)位于所述第二功率开关(4)的第一控制端与第二端之间。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一功率开关(1)包括：第一MOSFET管(Q9)和第一三极管(Q1)，其中：

所述第一MOSFET管(Q9)的漏极作为第一功率开关(1)的第一端，源极作为第一功率开关(1)的第二端，所述第一MOSFET管(Q9)的栅极作为第一功率开关(1)的第一控制端；

所述第一三极管(Q1)的集电极与所述第一MOSFET管(Q9)的栅极相连接，发射极与所述第一MOSFET管(Q9)的源极相连接，基极作为第一功率开关(1)的第二控制端。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一充电电路(2)包括：第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)和第五三极管(Q5)，其中：

所述第三三极管(Q3)的发射极与直流电源相连接，基极作为所述第一充电电路(2)的控制端；

所述第四三极管(Q4)的基极和发射极连接在一起，且发射极与所述第三三极管(Q3)的集电极相连接；

所述第五三极管(Q5)的基极与所述第四三极管(Q4)的集电极相连接，发射极与第四三极管(Q4)基极相连接，集电极连接第一功率开关(1)的第一控制端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二功率开关(4)包括：第二MOSFET管(Q10)和第二三极管(Q2)，其中：

所述第二MOSFET管(Q10)的漏极作为第二功率开关(4)的第一端，源极作为第二功率开关(4)的第二端，栅极作为第二功率开关(4)的第一控制端；

所述第二三极管(Q2)的集电极与所述第二MOSFET管(Q10)的栅极相连接，发射极与所述第二MOSFET管(Q10)的源极相连接，基极作为第二功率开关(4)的第二控制端。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第二充电电路(5)包括：第六三极管(Q6)、第七三极管(Q7)和第八三极管(Q8)，其中：

所述第六三极管(Q6)的发射极与直流电源相连接，基极作为所述第二充电电路(5)的控制端；

所述第七三极管(Q7)的基极和发射极连接在一起，且发射极与所述第六三极管(Q6)的集电极相连接；

所述第八三极管(Q8)的基极与所述第七三极管(Q7)的集电极相连接，发射极与第七三极管(Q7)基极相连接，集电极连接第二功率开关(4)的第一控制端。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一稳压电路(3)和第二稳压电路(6)均由电阻和稳压管相并联组成。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述稳压管为10V稳压管。