[实用新型]单相过压保护器

权利要求书

1.一种单相过压保护器，其特征在于包括π式抗干扰电路、整流桥、试验按钮、稳压管、二极管、可控硅、继电器、电阻R1、电阻R4、分压电阻R2、分压电阻R3以及若干电容，所述π式抗干扰电路接于220V交流电和整流桥交流端之间，所述分压电阻R2和分压电阻R3相互串联后接于整流桥直流端的正极与负极之间，所述试验按钮的一端接于整流桥直流端的正极，其另一端经电阻R1接于所述分压电阻R2和分压电阻R3之间，所述稳压管的阴极接于所述分压电阻R2和分压电阻R3之间，其阳极与二极管的阳极连接，所述二极管的阴极与所述可控硅的控制端连接，所述可控硅的阴极接于整流桥直流端的负极，所述电阻R4和若干电容相互并联，其一端接于可控硅的控制端，其另一端接于整流桥直流端的负极，所述继电器的线圈接于可控硅的阳极和整流桥直流端的正极之间。

2.根据权利要求1所述的单相过压保护器，其特征在于所述稳压管的稳压值为6.2V，电阻R1采用功率值为1瓦的金属膜电阻，电阻R2采用阻值为250k、功率值为1瓦的金属膜电阻，电阻R3采用功率值为0.5瓦的金属膜电阻，电阻R4的阻值为50k欧姆。

3.根据权利要求1所述的单相过压保护器，其特征在于所述π式抗干扰电路由日字型磁芯抗干扰线圈（L1、L2）、第一电容（C1）以及第二电容（C2）组成，所述日字型磁芯采用20×17mm的磁芯，所述线圈（L1、L2）的匝数均为260匝，直径均为0.12cm，所述第一电容（C1）和第二电容（C2）均采用耐压值为2kV的电容。

4.根据权利要求1所述的单相过压保护器，其特征在于所述可控硅采用BT169D。