[实用新型]一种电容式触摸感应器无效
申请号: | 201020672532.7 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN201955767U | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 张雄;张浩康;樊兆雯;王保平 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 触摸 感应器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电容触摸感应器,特别涉及双面投射电容式触摸感应器。
背景技术
电容式触摸屏,特别是双面电容式触摸屏,由于基板厚度的影响,手指从上下两层感应电容吸走的电量不同,造成检测到的信号强度不同。考虑到如果在感应器上方增加一定厚度的保护盖板,则会进一步降低下层感应单元的信号强度,造成灵敏度下降。由于双面电容式触摸屏的感应单元分别位于基板的上下两层,存在落差,在一定视角下能明显地观察到感应单元,影响了视觉效果。
发明内容
技术问题: 为了解决现有技术存在的不足,本实用新型提供一种电容式触摸感应器,通过在感应单元间隔中设置辅助感应单元来提高灵敏度,同时改善视觉效果。
技术方案:本实用新型的电容式触摸感应器包括绝缘基板、在绝缘基板上表面形成的包含第一感应单元阵列的第一感应电极、第一辅助感应单元阵列和第一感应电极引线;在基板下表面的包含第二感应单元阵列的第二感应电极和第二感应电极引线;其中,第一感应电极与第二感应电极互相正交;第一感应单元阵列和第二感应单元阵列互相交错;第一感应单元阵列和第一辅助感应单元阵列互相交错并与第二感应单元阵列互相重叠。
该感应器包括绝缘基板、在绝缘基板上表面形成的包含第一感应单元阵列的第一感应电极、第一辅助感应单元阵列和第一感应电极引线;在基板下表面形成的包含第二感应单元阵列的第二感应电极、第二辅助感应单元阵列和第二感应电极引线;
第一感应电极与第二感应电极互相正交;第一感应单元阵列和第二感应单元阵列互相交错;第一辅助感应单元组和第二辅助感应单元组互相交错并分别与第二感应单元阵列和第一感应单元阵列互相重叠。
第一感应单元、第一辅助感应单元、第二感应单元、第二辅助感应单元的形状为菱形,其对角线长度比为0.6~1.4mm,对角线长度为3~10mm;第一感应电极与第二感应电极的间距为3~6mm。
第一感应单元或第二感应单元的形状为多个多边形组合并连接而成。
第一辅助感应单元或第二辅助感应单元为多个多边形组合而成。
第一感应单元与第一辅助感应单元之间、第二感应单元与第二辅助感应单元之间的缝隙宽度为0.01~0.3mm。
绝缘基板为陶瓷板、有机玻璃板或用于制造印制电路板的基材,为单层材料或多层复合材料,厚度0.01~3毫米。
第一感应电极、第一辅助感应单元阵列、第二感应电极和第二辅助感应单元的材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡、纳米银、纳米碳管透明导电材料或铜、银、镍、铬、金、锡非透明金属或金属合金导电材料。
第一感应电极引线和第二感应电极引线为铜、银、镍、铬、金、锡、钼、铝等金属或复合薄膜。
第一感应电极引线组和第二感应电极引线组透明导电材料上采用化学镀或电镀的方法制作金属复合多层薄膜。
第一感应电极引线组和第二感应电极引线组包含与第一感应电极、第一辅助感应单元阵列、第二感应电极和第二辅助感应单元的相同的材料形成的电极引线图形及在其上采用化学镀或电镀的方法制作的金属复合多层薄膜。
有益效果:
⑴本实用新型通过在第一感应单元阵列的间隔区域正对第二感应单元的位置设置辅助感应单元,增加了第二感应单元的电容,有效地提高了第二感应单元的信号强度。
⑵由于在上表面的第一感应单元阵列的间隔区域设置了辅助感应单元,消除了由于第一感应单元阵列造成的大面积空白区域,屏蔽了下层对应的第二感应单元阵列的光线反射,减弱了由于上下两层感应单元的落差引起的视觉缺陷。
附图说明
图1a、图1b为本实用新型提供的电容式触摸感应器侧视图;图1c为本发明提供的电容式触摸感应器俯视图
图2为本实用新型提供的电容式触摸感应器T面示意图;
图3a、图3b为本实用新型提供的电容式触摸感应器B面示意图;
图4为多边形组合感应单元示意图;
图5为多边形组合辅助感应单元示意图;
图6实施例7所述感应电极引线示意图;
图7实施例8所述感应电极引线示意图。
具体实施方式
本实用新型的电容式触摸感应器,包括绝缘基板、在基板上表面形成的包含第一感应单元阵列的第一感应电极组、第一辅助感应单元阵列和第一感应电极引线组;在基板下表面形成的包含第二感应单元阵列的第二感应电极组和第二感应电极引线组;第一感应电极组与第二感应电极组互相正交;第一感应单元阵列和第二感应单元阵列互相交错;第一感应单元阵列和第一辅助感应单元阵列互相交错并与第二感应单元阵列互相重叠。
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