[实用新型]一种N型硅太阳能电池有效
申请号: | 201020676732.X | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN201966219U | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种N型硅太阳能电池。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳能电池中,硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池,有着优异的电学性能和机械性能,硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。因此,研发高性价比的硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向。
现有的硅太阳能电池采用的硅片基底主要包括P型和N型两种硅片。和以P型硅片为基底制造的太阳能电池相比,由于N型硅片中没有B-O复合对,以N型硅片为基底制造的太阳能电池没有明显的光衰减现象;并且N型硅片的少子寿命高于P型硅片,因此N型硅太阳能电池得到了越来越多的关注。
目前在N型硅片上以丝网印刷方法制造的双面硅太阳能电池已可工业化生产,这种电池量产的平均光电转换效率在18.5%左右,并且电池正发射结和背发射结分别由硼扩散和磷扩散形成,形成方式均为面均匀扩散,但目前这种结构较难进一步提高电池的性能。
发明内容
本实用新型目的是提供一种N型硅太阳能电池,以达到降低成本和提高效率的目的。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种N型硅太阳能电池,包括N型衬底,
所述N型衬底的正面设有P型选择性发射结层,所述P型选择性发射结层包括P型高浓度扩散区域和P型低浓度扩散区域;
所述P型选择性发射结层上设有钝化层,钝化层上设有减反射层,减反射层上设有金字塔绒面结构层,金字塔绒面结构层上附设金属正电极;
所述N型衬底的背面设有N型选择性发射结层,所述N型选择性发射结层包括N型高浓度扩散区域和N型低浓度扩散区域;
所述N型选择性发射结层上设有减反射层,减反射层上设有金字塔绒面结构层,金字塔绒面结构层上附设金属负电极。
进一步的技术方案,所述N型选择性发射结层和减反射层之间设有钝化层。
所述钝化层是Al2O3钝化层。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型设计得到了一种新的N型硅太阳能电池,由于其正面和背面均设有选择性发射极结构,并由Al2O3组成钝化层,因此其具有较好的光电转换性能,其平均光电转换效率在20%以上,具有显著的效果。
2、本实用新型的结构合理,工艺易于实现,成本较低,且具有良好的可操作性、实用性,适于推广应用。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的主剖图;
图2是本实用新型实施例二的主剖图。
其中:1、N型衬底;21、P型高浓度扩散区域;31、P型低浓度扩散区域;4、钝化层;5、减反射层;6、金字塔绒面结构层;7、金属正电极;8、金属负电极;22、N型高浓度扩散区域;32、N型低浓度扩散区域。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一
参见图1所示,一种N型硅太阳能电池,包括N型衬底1,
所述N型衬底的正面设有P型选择性发射结层,所述P型选择性发射结层包括P型高浓度扩散区域21和P型低浓度扩散区域31;
所述P型选择性发射结层上设有钝化层4,钝化层上设有减反射层5,减反射层上设有金字塔绒面结构层6,金字塔绒面结构层上附设金属正电极7;
所述N型衬底的背面设有N型选择性发射结层,所述N型选择性发射结层包括N型高浓度扩散区域22和N型低浓度扩散区域32;
所述N型选择性发射结层上设有减反射层5,减反射层上设有金字塔绒面结构层6,金字塔绒面结构层上附设金属负电极8。
上述N型硅太阳能电池的光电转换效率为20%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020676732.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:真空处理系统
- 下一篇:18排整体式引线框架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的