[实用新型]一种基于BCD工艺的level shifter电路无效
| 申请号： | 201020676750.8 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN201956998U | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 覃正才;吴大军;刘启付;吕回;牛祺;李长虹;郑佳鹏;胡冬梅;左言胜 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bcd 工艺 level shifter 电路 | ||
1.一种基于BCD工艺的level shifter电路，其特征在于，所述电路包括依次串联在一外部电源与地之间的第一限流模块和第一MOS管、依次串联在所述外部电源与地之间的第二限流模块和第二MOS管、并联在所述第一MOS管的漏极和源极之间的第一电压钳位模块以及并联在所述第二限流模块两端的且相互串联的第二电压钳位模块和第三限流模块，其中，所述第一MOS管的栅极接收一使能输入信号，其漏极输出第一使能输出信号；所述第二MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，其源极接地；所述第二电压钳位模块和第三限流模块之间输出第二使能输出信号。
2.根据权利要求1所述的基于BCD工艺的level shifter电路，其特征在于，
所述第一限流模块包括依次串联在所述外部电源与所述第一MOS管的漏极之间的第五MOS管和第三电阻，其中，所述第五MOS管的源极与其衬底连接至所述外部电源连接，其漏极与所述第三电阻连接；
所述第二限流模块包括依次串联在所述外部电源与所述第二MOS管的漏极之间的第六MOS管和第四电阻，其中，所述第六MOS管的源极与其衬底连接至所述外部电源连接，其漏极与所述第四电阻连接；
所述第一电压钳位模块包括依次串联在所述第二MOS管的栅极与地之间的第七至第八MOS管，其中，所述第七MOS管的栅极与漏极连接至所述第二MOS管的栅极，所述第八MOS管的栅极与漏极连接至所述第七MOS管的源极，所述第九MOS管的栅极与漏极连接至所述第八MOS管的源极；
所述第二电压钳位模块包括依次串联的第十至第十二MOS管，其中，所述第十MOS管的源极与其衬底连接至所述外部电源连接，其栅极与漏极连接至所述第十一MOS管的源极，且该第十一MOS管的源极与其衬底连接，其栅极与漏极连接至所述第十二MOS管的源极，且该第十二MOS管的源极与其衬底连接，其栅极与漏极连接；
所述第三限流模块包括串联在所述第十二MOS管的漏极与第二MOS管的漏极的第五电阻，且该第二MOS管的漏极输出所述第二使能输出信号。
3.根据权利要求2所述的基于BCD工艺的level shifter电路，其特征在于，所述电路包括依次串联在所述外部电源与地之间的第四MOS管、第二电阻、第三MOS管和第一电阻，其中，所述第四MOS管的源极与其衬底连接至所述外部电源连接，其栅极与漏极相连后与所述第五MOS管的栅极以及所述第六MOS管的栅极连接；所述第三MOS管的栅极接收一电流控制使能信号，其漏极与所述第二电阻连接，其源极与所述第一电阻连接。
4.根据权利要求3所述的基于BCD工艺的level shifter电路，其特征在于，所述第一至第三MOS管和第七至第九MOS管为PMOS管，所述第四至第六MOS管和第十至第十二MOS管为NMOS管。
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