[实用新型]一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置

权利要求书

1.一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于，包括：设于炉体(41)内腔中的保温筒(7)，保温筒(7)的上端部设有上石墨大盖(5)，在上石墨大盖(5)的上表面设有用于密封上石墨大盖与炉壁间间隙的石墨压环(1)；

上石墨大盖(5)的中部设有一通孔(43)，导流筒(44)装配在通孔(43)内，

所述导流筒(44)包括内筒(3)和外筒(4)，内筒(3)成倒圆锥台形，外筒(4)呈圆柱形，在内筒(3)和外筒(4)之间填充有保温碳毡(2)，

内筒(3)和外筒(4)的上端向外侧延展形成环形凸边，导流筒(44)通过该环形凸边嵌装或卡装在上石墨大盖(5)上。

2.如权利要求1所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：所述石墨压环(1)的中部为倒圆锥台形通孔(31)，

所述石墨压环(1)的直径为900mm，其压环环壁(32)的高度h为94～100mm，倒圆锥台形通孔(31)上口的直径φ5为884～890mm，下口的直径φ6为694～700mm。

3.如权利要求1所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：所述导流筒(44)的环形凸边直径φ2为505mm，内筒(3)上口的直径φ1为405mm，内筒(3)下口的直径φ3为256mm，弧形过渡区(71)的半径R为95mm，外筒(4)的最大外径φ4为465mm。

4.如权利要求1或2或3所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：上石墨大盖(5)的下表面设有下石墨大盖(6)。

5.如权利要求4所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：保温筒(7)的下端部设有石墨炉底盘(14)，

保温筒(7)内设有石英坩埚(9)，所述石英坩埚(9)安放在石墨三掰埚(10)上，石墨三掰埚(10)安放在石墨托盘(11)上，加热器(8)设置于保温筒(7)和石墨三掰埚(10)之间，

所述石墨托盘(11)的底面设有石墨托杆(12)，

所述石墨托杆(12)穿出石墨炉底盘(14)，

石墨炉底盘(14)上设有与加热器(8)连接的石墨电极(13)。

6.如权利要求5所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：下石墨大盖(6)到加热器(8)上沿的盖距为210～220mm。

7.如权利要求5所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：加热器(8)的有效加热高度至少为390mm。

8.如权利要求5所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：石墨电极(13)高度为155mm。

9.如权利要求5所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于：导流筒下沿距离加热器上沿85～95mm。