[实用新型]阵列基板及液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层至少包括：

像素薄膜缓冲层，形成于像素电极和与所述像素电极相邻的导电图案之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案和绝缘层还包括：所述像素电极与栅线和栅电极；

所述像素薄膜缓冲层，形成于所述像素电极与所述栅线和栅电极之间。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述像素电极，形成在所述衬底基板上；

所述栅线和栅电极，形成在所述像素薄膜缓冲层上；

所述像素电极、所述像素薄膜缓冲层与所述栅线和栅电极一次成型。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案和绝缘层还包括：

栅绝缘层，形成在所述栅线和栅电极上方且覆盖所述衬底基板；

第一接触过孔，形成于所述像素薄膜缓冲层和所述栅绝缘层上，且贯穿所述像素薄膜缓冲层和所述栅绝缘层；

数据线，形成在所述栅绝缘层上；

源电极和漏电极，形成在所述栅绝缘层上，所述漏电极通过所述第一接触过孔与所述像素电极连接；

有源层，形成于所述源电极和漏电极之上，并与所述源电极和漏电极连接；

钝化层，形成在所述有源层、所述源电极和漏电极上方且覆盖所述衬底基板。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案和绝缘层还包括：所述像素电极与漏电极； 

所述像素薄膜缓冲层，形成于所述像素电极与所述漏电极之间，且所述像素薄膜缓冲层上形成有第二接触过孔；所述漏电极通过所述第二接触过孔与所述像素电极连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：

所述漏电极，形成于所述像素薄膜缓冲层上方；

所述像素薄膜缓冲层，形成于所述像素电极上方；

所述像素电极、所述像素薄膜缓冲层和所述第二接触过孔一次成型。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案和绝缘层还包括：

栅线和栅电极，形成在所述衬底基板上；

栅绝缘层，形成于所述栅线和栅电极之上；

有源层，形成于源电极和所述漏电极之上，并与所述源电极和所述漏电极连接；

钝化层，形成于所述有源层、所述源电极和所述漏电极上且覆盖所述衬底基板；

所述像素电极形成在所述栅绝缘层上。

8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素薄膜缓冲层为厚度为1000～ 4000 ?的无机绝缘层。

9.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素薄膜缓冲层为厚度为1500～ 5000 ?的有机绝缘层。

10.一种包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板的液晶显示器。