[实用新型]一种高亮LED光学耦合装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED照明产品，特别涉及一种高亮LED光学耦合装置。

背景技术

随着LED技术的飞速发展及大功率LED生产技术的日趋成熟，其低耗、高效、体积小、重量轻和长寿命等众多优点，使其得到广泛的应用，大功率LED的封装技术的发展，大大加快了大功率LED在照明领域和显示领域的应用。

现有高亮LED光学耦合装置包括基板和安装于所述基板上的LED芯片模组，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组的封装层和设于所述封装层上面的光耦合器，为防止光耦合器损伤LED芯片模组，光耦合器与LED芯片模组之间有空气间隙或玻璃，空气与玻璃的光折射率与光耦合器的光折射率具有较大差异，大大的降低了LED芯片模组所发出的光进入光耦合器的效率，为了提高光耦合效率，有的系统尽量使发光面与光学器件接近，但是在操作中很难控制，而且如果间隙过小，有可能在振动，由于光学器件与接触面的接触会损坏LED芯片，降低了使用寿命。如杨毅等【CN 101802666A】提出了一种提高光耦合效率的方法，但是仍然保留空气间隙；凯瑟琳等【CN 101438201A】建议采用折射率为2.0或以上的玻璃来提高取光效率，但在现实总还没有这样的材料。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种光耦合效率高且使用寿命长的高亮LED光学耦合装置。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是：一种高亮LED光学耦合装置，包括基板和安装于所述基板上的LED芯片模组，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组的封装层和直接设于所述封装层上面的光耦合器。

优选的，所述封装层和所述光耦合器的光折射率之间的差值为±0.5。

优选的，所述封装层的上表面与所述LED芯片模组的上表面平齐。

优选的，所述封装层为树脂、硅胶或石英。

优选的，所述光耦合器为光棒或光纤。

优选的，所述光耦合器通过硅胶或树脂粘合于所述封装层上，所述硅胶或树脂和所述光耦合器的光折射率之间的差值为±0.5。

优选的，所述LED芯片模组包括至少一个LED发光芯片和一端与所述LED发光芯片电连接的电源连接引线，所述电源连接引线的另一端延伸于所述高亮LED光学耦合装置外或与其外壁设有的连接点电连接。

优选的，所述LED芯片模组的有效发光面积等于或小于所述光耦合装置的横截面，即所述光耦合装置的垂直投影覆盖所述LED芯片模组的全部发光面。

采用本技术方案的有益效果是：采用光耦合器直接设于所述封装层上面，取消了影响光耦合效率的空气间隙或玻璃等，大大提高了光耦合效率同时，由于柔性封装层的介入，直接连接也避免了因震动而损伤LED芯片模组，大大提高了使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型一种高亮LED光学耦合装置实施例1的剖视图；

图2是本实用新型一种高亮LED光学耦合装置实施例2的示意图。

图中数字和字母所表示的相应部件名称：

1.基板2.LED芯片模组3.封装层4.光耦合器5.粘合部

6.电源连接引线

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

实施例1，

如图1所示，一种高亮LED光学耦合装置，包括基板1和安装于所述基板上的LED芯片模组2，还包括罩设于所述LED芯片模组上的光耦合装置，所述光耦合装置包括封装所述LED芯片模组2的封装层3和直接设于所述封装层上面的光耦合器4。

所述封装层3为树脂或硅胶等，所述光耦合器4为光棒，所述光棒的光折射率为1.56，所述树脂的光折射率为1.52，确保所述封装层3和所述光耦合器的光折射率之间的差值为±0.5之内。

所述光棒通过相同的树脂/硅胶粘合于所述封装层3上，整体相近的光折射率保证整个耦合装置的光耦合效率，使得整个发光装置亮度得到有效提升。

所述LED芯片模组2包括至少一个LED发光芯片和一端与所述LED发光芯片电连接的电源连接引线6，所述电源连接引线6的另一端延伸于所述高亮LED光学耦合装置外，也可与其外壁设有的连接点电连接。

实施例2，

如图2所示，其余与实施例1相同，不同之处在于，所述封装层3的上表面与所述LED芯片模组2的上表面平齐。因此光棒直接通过树脂粘接在LED芯片模组2上，进一步降低了折射率不同带来的影响。

上述实施例中，封装层3还可以是石英。光耦合器4还可以是光纤。