[实用新型]具有基准电路的多层电路元件有效
申请号: | 201020686423.0 | 申请日: | 2010-11-08 |
公开(公告)号: | CN202095172U | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 肯特·E·雷尼尔 | 申请(专利权)人: | 莫列斯公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/11 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 楼仙英;邵桂礼 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 基准 电路 多层 元件 | ||
1.一种多层电路元件,其特征在于,包括:
间隔开并大致平行的第一导电参考面和第二导电参考面;
在所述第一参考面和第二参考面之间延伸以电气互连所述第一参考面和第二参考面的导电通路;
邻近所述第一参考面的第一区域的第一信号导体;
邻近并可操作性地传输能量至所述第二参考面的至少一个元件;以及
在所述第一参考面中具有增大的阻抗的并位于所述第一参考面的所述第一区域与所述通路之间的长形区域。
2.根据权利要求1所述的多层电路元件,其特征在于,所述第一信号导体为多个第一信号导体之一,多个第一信号导体位于大致平行于所述第一参考面的公共面中,并且一些所述第一信号导体的至少一部分邻近所述第一参考面的所述第一区域。
3.根据权利要求2所述的多层电路元件,其特征在于,多个所述第一信号导体被配置为电气耦合至所述第一参考面。
4.根据权利要求2所述的多层电路元件,其特征在于,多个所述第一信号导体包括至少两对优先耦合的第一信号导体。
5.根据权利要求1所述的多层电路元件,进一步包括多个第一信号导体和多个第二信号导体,所述多个第一信号导体邻近所述第一参考面并位于所述第二参考面对面的所述第一参考面的一侧上,所述多个第二信号导体邻近所述第二参考面并位于所述第一参考面对面的所述第二参考面的一侧上。
6.根据权利要求1所述的多层电路元件,其特征在于,所述至少一个元件为电气耦合至所述第二参考面的第二信号导体。
7.根据权利要求1所述的多层电路元件,其特征在于,所述具有增大的阻抗的区域为所述参考面中的槽。
8.根据权利要求7所述的多层电路元件,其特征在于,第一信 号导体具有第一长度,所述槽的长度至少与所述第一信号导体的所述第一长度大致一样长。
9.根据权利要求7所述的多层电路元件,其特征在于,第一信号导体具有第一长度,所述槽的长度大于所述第一信号导体的所述第一长度的大约一半。
10.根据权利要求1所述的多层电路元件,其特征在于,所述具有增大的阻抗的区域为具有粗糙表面的区域。
11.根据权利要求1所述的多层电路元件,其特征在于,所述具有增大的阻抗的区域为具有交叉影线的导电区域。
12.一种多层电路元件,其特征在于,包括:
导电参考面,其包括电气连接的第一区域和第二区域;
第一信号导体的至少一部分,其邻近所述参考面的所述第一区域;
至少一个第二信号导体,其包括穿过邻近所述参考面的所述第二区域的所述参考面中的开口的部分;以及
具有增大的阻抗的区域,其位于所述参考面的电气连接的所述第一区域和第二区域之间。
13.根据权利要求12所述的多层电路元件,其特征在于,所述第一信号导体为多个第一信号导体之一,所述多个第一信号导体位于大致平行于所述参考面的公共面中,并且一些所述第一信号导体的至少一部分邻近并电气耦合至所述参考面的所述第一区域。
14.根据权利要求13所述的多层电路元件,其特征在于,所述电连接性降低的区域为所述参考面中的槽。
15.根据权利要求12所述的多层电路元件,其特征在于,所述电连接性降低的区域为所述参考面中的槽。
16.根据权利要求15所述的多层电路元件,进一步包括第二导电参考面,所述导电参考面与所述第二导电面相互间隔并大致平行,所述第二信号导体包括邻近所述第二参考面的第二部分。
17.根据权利要求12所述的多层电路元件,进一步包括第二导 电参考面,所述导电参考面与所述第二导电面相互间隔并大致平行,所述第二信号导体包括邻近所述第二参考面的第二部分。
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