[实用新型]一种引流扰动器及回流贮液装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路制造工艺装置，尤其涉及一种引流扰动器及回流贮液装置。

背景技术

在半导体工艺中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是机械削磨和化学腐蚀组合的技术，化学机械抛光技术借助超微粒的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的平面。

CMP是使用含有氮化硅、氧化硅等研磨粒的研磨液(Slurry)以及其他化学液体来对半导体晶圆表面平坦化的方法，研磨的对象包括硅氧化膜、配线、插塞(Plug)等，在研磨垫和晶圆之间添加研磨液(Slurry)，以提高研磨效率。

研磨液及其他化学液体静止放置在空气中放置极易结晶，结晶的研磨液在研磨过程中会对晶圆造成划痕(Scratch)，影响产量。现有技术，研磨液放置于贮液容器或回流贮液装置中时，需要利用搅拌桨以及自身循环系统帮助研磨液增加一定的搅动，减少结晶的形成。

图1为现有技术中回流贮液装置的结构示意图，如图1所示，所述回流贮液装置20与液体使用设备30管路连通，在所述回流贮液装置20与所述液体使用设备30之间的管路上设置有调节作用的阀件32，所述回流贮液装置20包括：贮液容器21；供应管24，首端连接于所述贮液容器21底部，尾端与液体使用设备30管路相通；泵25，设置于所述供应管24上；回流管22，首端连接于所述供应管24上，尾端位于贮液容器21上方；阀件23，设置于所述回流管22上；还包括搅拌桨10，所述搅拌桨10需要外部电源供电其转动工作。然而，对于简易的、仅仅用于临时性贮液、测试用的回流贮液装置，往往不会配备搅拌桨等搅拌装置，因为只需要为其中泵提供给一路气源，便可维持系统工作，否则增加搅拌桨10等搅拌装置通常需要再接一路电源，则增加了临时性测试的困难和成本。

对于即使是临时性的测试，所供应的液体，例如化学液体或研磨液也会因为缺乏搅拌而容易产生沉淀和结晶，从而大大增加产品的杂质污染、划伤等缺陷的产生。因此需要一种无需外接其他能源的情况下，增加回流贮液装置内液体扰动，充分搅拌液体减少沉淀和结晶的装置。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种简便的引流扰动器及回流贮液装置，能够在不需要外接其他能源的情况下，增加回流贮液装置内液体的扰动，充分搅拌液体，减少沉淀和结晶的产生。

为解决上述问题，本实用新型提供一种引流扰动器，包括：主流管；分流管，包括至少两个出口，入口连接于所述主流管的出口；至少两个引流扰动管，分别连接于所述分流管的出口。

进一步的，所述引流扰动管的扰动方向在同一平面上形成同一时针转动方向。

可选的，所述引流扰动管与所述主流管的延伸方向呈30°～90°夹角。

进一步的，所述分流管的入口设置于中部。

进一步的，所述分流管与所述主流管相垂直。

进一步地，所述分流管为直管双出口分流管、或等角三出口分流管。

进一步地，所述引流扰动器为耐腐蚀材料。

进一步的，本实用新型还提供一种回流贮液装置，与液体使用设备管路相通，包括：供应管，首端连接于所述贮液容器底部，尾端与液体使用设备管路相通；泵，设置于所述供应管上；回流管，首端连接于所述供应管上，尾端位于贮液容器上方；阀件，设置于所述回流管上；还包括，所述引流扰动器，位于所述贮液容器中，连接于所述回流管尾端；固定装置，固定所述引流扰动器。

综上所述，本实用新型所述引流扰动器利用回流贮液装置中泵带动液体的回流，对液体加以引导，对所述液体产生的压力加以调节，从而增加了液体的扰动，达到搅拌的效果，减少沉淀和结晶的产生。

附图说明

图1为现有技术中回流贮液装置的结构示意图。

图2为本实用新型一实施例中所述回流贮液装置的结构示意图。

图3～图6为本实用型中所述引流扰动器的实施例的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。