[实用新型]环状工件加工系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及环状工件加工系统，特别涉及溅射用环状工件的加工系统。

背景技术

目前，在半导体结构表面形成电极膜通常采用溅射的方法。溅射是一种物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)的镀膜方式，通常用于沉积半导体结构中所使用的薄膜，即以带电粒子轰击靶材表面，使靶材近表面的粒子获得足够大的能量而最终逸出靶材表面，并沉积在衬底材料上的过程。

由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的，进而衬底表面薄膜不够均匀，衬底表面内接触孔或者通孔底部和侧壁覆盖能力差，因此通常会使用一些环件产品配合靶材一起使用。目前为采用在靶材和衬底之间设置一个磁控溅射环，所述环接地，通过其产生的电磁场对溅射出的靶材粒子运动进行约束，同时吸附溅射过程中可能出现的大的粒子，从而保证薄膜的均匀性。

请参阅图1，图1为现有技术的一种磁控溅射环的结构示意图。图示的磁控溅射环10具有缺口11，该磁控溅射环10包括内表面101和外表面102。所述磁控溅射环10通常由钛、钽或铌等金属制成。所述磁控溅射环10在加工时通常是将金属板条滚圆，由于金属板条的表面通常为平整结构，因此该磁控溅射环10的内表面101和外表面102也为平整结构。在溅射过程中所述内表面101和外表面102对大的粒子的吸附能力不强。

因此，需要对所述磁控溅射环10的内表面101和外表面102进行加工处理，以使得所述内表面101和外表面102吸附溅射过程中产生的大粒子的能力更强。请参阅图2，图2为图1中磁控溅射环表面加工后的花纹示意图。图2中是对所述磁控溅射环10的内表面101和外表面102进行滚花处理，一般为20～～80TPI(Tooth Per Inch，每英寸范围内的凸楞数)。可见，在形成花纹后对溅射过程中产生的大粒子的吸附能力更强。

然而，在对于环状工件(例如为上述磁控溅射环10)内表面和外表面进行加工时，目前还没有提供一种较好的加工系统。

有鉴于此，实有必要提供一种环状工件加工系统，以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种环状工件加工系统，以对环状工件的内表面及外表面进行加工，以达到对环状工件内外表面的加工要求。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种环状工件加工系统，该系统包括：

第一夹具，其包括若干个对接的夹持件，各所述夹持件包括扇形部和外延部，所述外延部由所述扇形部向远离所述扇形部圆心的方向延伸形成，所述外延部的厚度大于所述扇形部的厚度，各外延部的内侧拼接形成环状的夹持面；

第二夹具，其包括若干个对接的扇形抵持件，各抵持件外侧拼接形成环状的抵持面。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述夹持件为三个，各扇形部圆心角为120°。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述扇形部的厚度为50～～70mm。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述扇形部与所述外延部的厚度差为50～～70mm。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述夹持面所形成的环形的直径小于或等于所述环状工件的外圈直径。

可选的，所述环状工件加工系统中，各所述扇形部上设有第一固定孔，所述第一固定孔穿透所述扇形部。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述第一固定孔为若干个，各所述第一固定孔设于所述扇形部的同一半径上，较佳的，所述同一半径为扇形部的角平分线。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述第一固定孔为若干个，各所述第一固定孔到所述扇形部的圆心距离相等，且到扇形部的角平分线距离相等。

可选的，所述环状工件加工系统中，各所述扇形部靠近圆心处具有第一扇形缺口，各所述第一扇形缺口拼接形成第一中心孔。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述抵持件为三个，各所述抵持件的圆心角为120°。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述抵持件的厚度为50～～70mm。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述抵持面所形成的环形的直径小于或等于所述环状工件的内圈直径。

可选的，所述环状工件加工系统中，各所述抵持件上设有第二固定孔，所述第二固定孔穿透所述扇形部。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述第二固定孔为若干个，各所述第二固定孔设于所述抵持件的同一半径上，较佳的，所述同一半径为抵持件的角平分线。

可选的，所述环状工件加工系统中，所述第二固定孔为若干个，各所述第二固定孔到所述抵持件的圆心距离相等，且到抵持件的角平分线距离相等。