[实用新型]一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元

说明书

技术领域

本实用新型属于微电子技术领域，涉及一种集成双纵向沟道（DVC）SOI（绝缘层上半导体）LDMOS（横向双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管）器件单元。

背景技术

SOI LDMOS器件由于其较高的集成度、较高的工作频率和温度、较强的抗辐照能力、极小的寄生效应、较低的成本以及较高的可靠性，作为无触点高频功率电子开关或功率放大器、驱动器在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子、交通工具电力电子和射频通信等领域具有广泛应用。集成纵向沟道SOI nLDMOS是在SOI衬底的n^-型顶层半导体上形成场氧化层；在近源极侧刻蚀成一个深槽并在槽壁上生长一纵向薄栅氧化层，然后在槽中覆盖重n掺杂的低阻多晶硅并引出栅极金属引线；在临近纵向栅氧化层的顶层半导体上表面采用p^-、n⁺两次离子注入形成短沟道nMOSFET，附加p⁺离子注入掺杂实现p-well欧姆接触，由n⁺、p⁺区引出源极金属引线；在近漏极端通过离子注入形成n缓冲区，在该掺杂区刻槽进行n⁺离子注入形成漏极区并引出金属漏极；在阱区下面自纵向氧化层与顶层半导体界面开始到缓冲区的边界的顶层半导体部分为漂移区。该SOI LDMOS器件导通时，其导电沟道处于纵向栅氧化层与顶层半导体界面的硅侧表面，且为纵向沟道，漂移区与阱区形成的pn结反向耗尽区使得电流在该区域的路径变窄，器件通态电阻较大，通态压降较高，通态电流较小，而通态功耗高，器件工作效率低，易发热，不利于提高器件和系统可靠性、节省能源与保护环境。

发明内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种具有双纵向导电沟道、台阶式体漏极的SOI LDMOS器件单元，通过引入一条新的导电沟道显著改善集成纵向沟道SOI LDMOS器件通态性能，提高器件的可靠性。

本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、轻掺杂漂移区。隐埋氧化层覆盖在半导体衬底上，轻掺杂漂移区设置在隐埋氧化层上。轻掺杂漂移区的一侧设置有LDMOS的缓冲区，另一侧设置有第一低阻多晶硅栅，第一低阻多晶硅栅与轻掺杂漂移区之间设置有纵向栅氧化层。

轻掺杂漂移区顶部设置有阱区和槽氧区，所述的阱区为异性较重掺杂半导体区，槽氧区为氧化层，阱区的一侧紧邻纵向栅氧化层设置，另一侧紧邻槽氧区设置；阱区内设置有第一源极、第二源极和欧姆接触区，其中欧姆接触区设置在阱区中部，第一源极和第二源极分设在欧姆接触区的两侧，第一源极的一侧与纵向栅氧化层相接、另一侧与欧姆接触区相接，第二源极的一侧与欧姆接触区相接；槽氧区的中部嵌入第二低阻多晶硅栅，第二低阻多晶硅栅一侧的槽氧区为第一槽氧区、另一侧的槽氧区为第二槽氧区，第二源极的另一侧与第一槽氧区相接。

LDMOS的缓冲区的一侧紧邻轻掺杂漂移区的侧边设置，另一侧与台阶式漏极区相接；第一低阻多晶硅栅、纵向栅氧化层、轻掺杂漂移区、LDMOS的缓冲区以及台阶式漏极区的底部均与隐埋氧化层相接。第一低阻多晶硅栅的顶部全部、纵向栅氧化层的顶部全部以及第一源极顶部的一部分覆盖有第一场氧化层，第二源极顶部的一部分、第一槽氧区的顶部全部以及第二低阻多晶硅栅顶部靠近第一槽氧区的一部分覆盖有第二场氧化层，轻掺杂漂移区的顶部、LDMOS的缓冲区的顶部、台阶式漏极区顶部的一部分、第二槽氧区的顶部全部以及第二低阻多晶硅栅顶部靠近第二槽氧区的一部分覆盖有第三场氧化层；第一源极顶部的其余部分、第二源极顶部的其余部分以及欧姆接触区的顶部覆盖金属层作为源极；台阶式漏极区其余部分的顶部表面上覆盖金属层作为漏极；在第一低阻多晶硅栅的表面和第二低阻多晶硅栅其余部分的顶部表面覆盖金属层，并通过金属互连线相连作为栅电极。

本实用新型在集成纵向沟道SOI LDMOS阱区与漂移区间刻蚀一浅槽，并在其内设置氧化层和多晶硅栅，在阱区与浅槽侧设置另一个源极形成了集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元。该器件在导通时，将有两条纵向导电沟道，且避免了阱区与漂移区间的纵向反向pn结形成的耗尽层，扩展了器件的导电电流路径，提高了通态电流，降低通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，改善器件的耐高温特性；同时由于增加了一栅极，栅极电压对器件的通态电流的作用变大，即器件的跨导得到了提高。另一方面，器件在截态时，浅槽能够消除漂移区与阱区表面峰值电场，适当的优化槽氧厚度可以提高器件的耐压。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的俯视图；