[实用新型]静电吸盘组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种静电吸盘组件。

背景技术

在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化层等。对于小图形，其分辨率受晶圆表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对淀积薄膜的质量要求也越来越高，其厚度的均匀性不仅会影响到下步工艺的正常进行，也会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。

所谓淀积是指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程，薄膜淀积的方法有化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)法两大类。其中，化学气相沉积是将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应室，并在所述反应室中发生反应，其原子或分子淀积在晶圆表面，聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高真空、便于制备复合产物、淀积速率高，以及淀积的各种薄膜具有良好的阶梯覆盖性能等优点在半导体器件的制造中被广泛使用。

当需要对晶圆进行化学气相沉积工艺时，所述晶圆将首先被置于一反应室内的静电吸盘组件上，具体的，置于静电吸盘组件的静电吸盘上，然后通过喷头将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应室反应，最终在所述晶圆表面形成薄膜。

请参考图1，其为现有的静电吸盘组件的示意图。如图1所示，静电吸盘组件1包括：外壳座10、置于所述外壳座10内的静电吸盘11和支撑装置12，所述静电吸盘11固定在所述支撑装置12上，所述静电吸盘11与所述外壳座10之间具有第一间隙13，所述支撑装置12与所述外壳座10之间具有第二间隙14，所述支撑装置12通过六个螺母连接装置15与所述外壳座10连接。

通过设置第一间隙13和第二间隙14，当置于外壳座10内的静电吸盘11和支撑装置12有损坏或者变形等其它情况时，可方便的将静电吸盘11和支撑装置12取出进行更换；再者，防止了静电吸盘11、支撑装置12和外壳座10之间产生摩擦，从而防止了产生杂质，污染反应腔室，并由此降低了化学气相沉积工艺的可靠性。

但是，由于设置有第一间隙13和第二间隙14，静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离往往会不相等，当静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离不相等时，往往会导致置于静电吸盘11上的晶圆成膜不均匀，由此，当静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离不相等时，必须调整静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离。

现有的调整静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离的方式是：首先，在静电吸盘11和外壳座10之间插入测隙规；然后，松开六个螺母连接装置15，调整静电吸盘11和支撑装置12，使得静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离相等；最后，再拧紧六个螺母连接装置15，取出测隙规。这个距离的调整往往在几个毫米，甚至不到一个毫米，因此，整个调整比较困难，往往需花费大量的时间。此外，由于静电吸盘11的边缘与外壳的距离非常短，即第一间隙13的宽度非常小，在测隙规插入与拔出的过程中，往往发生伤害静电吸盘11的事件，由此，往往需要更换静电吸盘11或者重新调整静电吸盘11的边缘与外壳座10间的距离，浪费了大量的时间，提高了生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种静电吸盘组件，以解决现有的静电吸盘组件中静电吸盘的边缘与外壳座间的距离调整困难且容易伤害静电吸盘的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种静电吸盘组件，所述静电吸盘组件包括：外壳座、置于所述外壳座内的静电吸盘和支撑装置，所述静电吸盘与所述外壳座之间具有第一间隙，所述支撑装置包括支撑体和与所述支撑体连接的支撑脚，所述静电吸盘固定在所述支撑体上，所述支撑体与所述外壳座之间具有第二间隙，所述支撑脚的形状为倒圆台形，所述支撑脚与所述外壳座贴合。

可选的，在所述的静电吸盘组件中，还包括连接装置，所述连接装置连接所述支撑脚和所述外壳座。

可选的，在所述的静电吸盘组件中，所述连接装置连接所述支撑脚的底部和所述外壳座。

可选的，在所述的静电吸盘组件中，所述连接装置为螺母连接装置。

可选的，在所述的静电吸盘组件中，所述连接装置的数量为多个。