[实用新型]化合物半导体加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种化合物半导体加热装置。

背景技术

随着工业经济的飞速发展，化合物半导体逐渐被更为广泛的应用，化合物半导体的制备工艺以及纯度的要求也越来越高，而制备高纯度化合物半导体的现有设备结构较为复杂，加热装置横向、纵向温度梯度变化巨大，加热器内热对流剧烈，炉温温场不稳定，使得在拉晶过程中，容易出现单晶变为多晶的情况。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，在此提供一种结构简单、热场均匀以及温度稳定的化合物半导体加热装置。

本实用新型是这样实现的，构造一种化合物半导体加热装置，包括有保温壁，保温壁上设置有保温盖，其特征在于：保温壁内设置有石墨加热器，在石墨加热器内通过托碗设置有石英坩埚，托碗通过坩埚托杆支撑，保温壁下设置有绝缘垫片，石墨加热器的引脚与电极连接。

上述石墨加热器为U型石墨加热器。

本实用新型的优点在于：本发明采用石墨为加热器，因为石墨具的电阻率较高，对电流的阻碍作用也较大，当给石墨通电时，会放出大量热，它还具有高熔点3500℃、高沸点4827℃的特性，在惰性气体保护下不会熔化、蒸发、反应。本发明的U型石墨加热器的底部收窄、贴近坩埚托杆，下部通电发热，具有更加均匀的热场，使加热装置内温场更稳定，原料受热均匀。具有很强的推广价值和应用价值。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图

图中：1、保温盖，2、保温壁，3、绝缘垫片， 4、电极，5、石墨加热器，6、托碗，7、石英坩埚，8、坩埚托杆。

具体实施方式

为了克服现有技术的不足，本实用新型在此提供一种化合物半导体加热装置，如图1所示：包括有起保温作用的保温壁2，保温壁2上部设置有保温盖1。其中在保温壁2内设置有石墨加热器5，在石墨加热器5内通过托碗6设置有石英坩埚7，托碗6通过坩埚托杆8支撑，在保温壁2下还设置有绝缘垫片3，所述的石墨加热器5下的引脚与电极4连接。