[实用新型]用于金属有机化学气相沉积反应器的气体分布装置及反应器有效
申请号: | 201020695188.3 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN201933153U | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 杜志游;荒见淳一;姜勇;周宁 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 金属 有机化学 沉积 反应器 气体 分布 装置 | ||
1.一种用于金属有机化学气相沉积反应器的气体分布装置,其特征在于,所述装置包括:
顺序叠加、彼此连接在一起的控温气体分布板、第一气体分布板和第二气体分布板,其中所述控温气体分布板与所述第一气体分布板之间焊接固定,所述第一气体分布板和所述第二气体分布板之间通过可拆卸固定装置固定连接;
所述控温气体分布板、第一气体分布板和第二气体分布板上分别预设有若干通道,在所述控温气体分布板、第一气体分布板和第二气体分布板彼此连接后,所述若干通道相互连通并构成相互隔离的若干个第一气体分布通道与若干个第二气体分布通道,所述若干个第一气体分布通道与第一反应气体源相连通,所述若干个第二气体分布通道与第二反应气体源相连通;
所述控温气体分布板上还设置有与冷却源相连接的冷却腔。
2.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述控温气体分布板包括一上表面和一下表面,所述下表面靠近所述反应器的反应区,并且所述第一反应气体源与所述第二反应气体源从所述下表面逸出而进入反应区。
3.根据权利要求1或2所述的气体分布装置,其特征在于:所述第一气体分布板或第二气体分布板上还包括与所述若干个第一气体分布通道或所述若干个第二气体分布通道相连通的气体扩散空间。
4.根据权利要求2所述的气体分布装置,其特征在于:所述控温气体分布板上的若干通道贯穿所述上表面和下表面。
5.根据权利要求1或4所述的气体分布装置,其特征在于:所述第一气体分布板包括一上表面和一下表面,所述第一气体分布板上的若干通道贯穿所述第一气体分布板的上表面和下表面。
6.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:还包括一个气密板与所述第二气体分布板相邻并连接在一起,该气密板上设置有与所述若干个第一气体分布通道或所述若干个第二气体分布通道互相连通的气体扩散空间。
7.根据权利要求6所述的气体分布装置,其特征在于:所述气密板与所述第二气体分布板通过可拆卸固定装置固定连接。
8.根据权利要求1或6所述的气体分布装置,其特征在于:其中可拆卸固定装置是螺栓或螺钉。
9.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述焊接固定为真空钎焊或真空熔焊。
10.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述第二气体分布板包括一上表面和一下表面,所述第二气体分布板上的若干通道贯穿所述第二气体分布板的上表面和下表面。
11.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述第二气体分布板包括一上表面和一下表面,所述第二气体分布板上的若干通道不贯穿所述第二气体分布板的上表面和下表面。
12.一种金属有机化学气相沉积反应器,其特征在于,包括前述任一项权利要求所述的气体分布装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的