[实用新型]用于金属有机化学气相沉积反应器的气体分布装置及反应器有效

专利信息
申请号: 201020695188.3 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN201933153U 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 杜志游;荒见淳一;姜勇;周宁 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/34
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 金属 有机化学 沉积 反应器 气体 分布 装置
【权利要求书】:

1.一种用于金属有机化学气相沉积反应器的气体分布装置,其特征在于,所述装置包括:

顺序叠加、彼此连接在一起的控温气体分布板、第一气体分布板和第二气体分布板,其中所述控温气体分布板与所述第一气体分布板之间焊接固定,所述第一气体分布板和所述第二气体分布板之间通过可拆卸固定装置固定连接;

所述控温气体分布板、第一气体分布板和第二气体分布板上分别预设有若干通道,在所述控温气体分布板、第一气体分布板和第二气体分布板彼此连接后,所述若干通道相互连通并构成相互隔离的若干个第一气体分布通道与若干个第二气体分布通道,所述若干个第一气体分布通道与第一反应气体源相连通,所述若干个第二气体分布通道与第二反应气体源相连通;

所述控温气体分布板上还设置有与冷却源相连接的冷却腔。

2.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述控温气体分布板包括一上表面和一下表面,所述下表面靠近所述反应器的反应区,并且所述第一反应气体源与所述第二反应气体源从所述下表面逸出而进入反应区。

3.根据权利要求1或2所述的气体分布装置,其特征在于:所述第一气体分布板或第二气体分布板上还包括与所述若干个第一气体分布通道或所述若干个第二气体分布通道相连通的气体扩散空间。

4.根据权利要求2所述的气体分布装置,其特征在于:所述控温气体分布板上的若干通道贯穿所述上表面和下表面。

5.根据权利要求1或4所述的气体分布装置,其特征在于:所述第一气体分布板包括一上表面和一下表面,所述第一气体分布板上的若干通道贯穿所述第一气体分布板的上表面和下表面。

6.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:还包括一个气密板与所述第二气体分布板相邻并连接在一起,该气密板上设置有与所述若干个第一气体分布通道或所述若干个第二气体分布通道互相连通的气体扩散空间。

7.根据权利要求6所述的气体分布装置,其特征在于:所述气密板与所述第二气体分布板通过可拆卸固定装置固定连接。

8.根据权利要求1或6所述的气体分布装置,其特征在于:其中可拆卸固定装置是螺栓或螺钉。

9.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述焊接固定为真空钎焊或真空熔焊。

10.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述第二气体分布板包括一上表面和一下表面,所述第二气体分布板上的若干通道贯穿所述第二气体分布板的上表面和下表面。

11.根据权利要求1所述的气体分布装置,其特征在于:所述第二气体分布板包括一上表面和一下表面,所述第二气体分布板上的若干通道不贯穿所述第二气体分布板的上表面和下表面。

12.一种金属有机化学气相沉积反应器,其特征在于,包括前述任一项权利要求所述的气体分布装置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020695188.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top