[实用新型]使用线路终结器的前端围栏及使用其的电子脉冲式探测器无效
申请号: | 201020695551.1 | 申请日: | 2010-12-30 |
公开(公告)号: | CN201927140U | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 常会君 | 申请(专利权)人: | 上海睿堡电子科技发展有限公司 |
主分类号: | G08B13/00 | 分类号: | G08B13/00;G08B13/12 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 200237 上海市闵行区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 线路 终结 前端 围栏 电子 脉冲 探测器 | ||
技术领域
本实用新型涉及前端围栏及电子脉冲式探测器,尤其涉及一种使用线路终结器的前端围栏及使用其的电子脉冲式探测器。
技术背景
电子围栏是目前最先进的周界防盗报警系统,它由高压电子脉冲主机和前端探测围栏组成。高压电子脉冲主机是产生和接收高压脉冲信号,并在前端探测围栏处于触网、短路、断路状态时能产生报警信号,并把入侵信号发送到安全报警中心;前端探测围栏由杆及金属导线等构件组成的有形周界。电子围栏是一种主动入侵防越围栏,对入侵企图做出反击,击退入侵者,延迟入侵时间,并且不威胁人的性命,并把入侵信号发送到安全部门监控设备上,以保证管理人员能及时了解报警区域的情况,快速的作出处理。
现有电子围栏通常使用6线前端围栏线路,实际中也可采用更多,线路越多,盗贼越难翻越,防盗效果越好。且,在前端围栏线路上,相邻两线通产采用高压差以防止盗贼翻越围栏。且,为了防止盗贼强行剪断线路闯入,电子围栏主机都会在主机内检测高压线路上电子脉冲信号。现有电子围栏的接法如图1所示,电子围栏主机中包括高压输出模块和两个输入检测模块,其中,共有两路脉冲信号从高压输出模块输出,和两接受脉冲输出信号的检测模块,如两检测模块检测端均能接收到脉冲信号,则保持常态,其中探测线路1、2为等点位。如围栏线路被切断,输入检测模块无法收到脉冲信号,则报警。
现有电子围栏存在如下缺陷:
1、主机接线端子较多,至少需要4个接线端子。
2、6线制不能保证相邻2根线有压差,如图1所示,高压探测线1、2为等电位。
3、报警功能通过非法旁路被屏蔽。如图2所示为短接屏蔽方式之一。当盗贼沿虚线将探测线短接,在探测前端围栏的X型位置切断外枝探测高压线便可越过防护栏、并保证前端围栏正常通路,即输出脉冲信号通过短接后的回路回至检测输入端,检测端无法获知探测高压线已被切断,因而,该电子防护栏失去报警作用。
发明内容:
为了解决上述现有技术所存在的问题,本实用新型提出了一种使用线路终结器的前端围栏及使用其的电子脉冲式探测器。
本实用新型技术方案如下:
使用线路终结器的前端围栏,包括一高压探测线,该高压探测线串联一电子线路终结器。
进一步,所述电子线路终结器为一电感。
进一步,所述电感同高压探测线所形成的电容相匹配。
使用前述前端围栏的电子脉冲式探测器,包括前端围栏及一主机,该主机包括高压整流滤波电路和对前述电路输出信号进行判断的微控制器,高压整流滤波电路由两个对称支路组成,其中一支路高压输入端同高压电源相连接,高压输出端同前端围栏一端相连接,整流滤波输出信号端同微控制器信号输入一端相连接;另一支路高压输入端同高压电源相连接,高压输出端同前端围栏另一端相连接,整流滤波输出信号端同微控制器信号输入另一端相连接。
进一步,所述高压整流滤波电路支路,由整流滤波电路、光耦隔离器串联而成。
本实用新型的有益效果是:
1:通过前端围栏的单回路结构,解决了现有电子围栏多回路的复杂结构,相应的减少了主机端子个数,使主机结构简单化。
2:因本实用新型所提供的新式结构,解决了电子围栏6线制(或以上线制)中存在高压等电位问题。
3:本实用新型因有一负载存在,使得短路后,电流脉冲会相应变化,而不再如现有电子围栏,可以通过非法短路维持通路,而造成报警失效。
附图说明:
图1为现有电子围栏的接线示意图;
图2为现有电子围栏的接线短接示意图;
图3为使用了本实用新型优选实施例的接线示意图;
图4为本实用新型优选实施例的实施电路图;
符号说明:
图2、图3中X为切断点,虚线为短接方式。
图4中,1为前端围栏,2为主机,其中21为高压整流滤波电路,22为微处理器CPU;高压整流滤波电路21中,
HV1,HV2:高压包输出的正负高压端,中心抽头(图上未标注)接大地;
HV1OUT,HV2OUT:正负高压通过检测电路后的输出,此高压直接输送到前端围栏;
CHK1、CHK2:输送到CPU的检测信号;
D1,D3,E1形成整流滤波电路,将高压交流信号变成直流;
D2,D4,E2形成整流滤波电路,将高压交流信号变成直流;
R1,R2,保护电阻;P1,P2半导体放电管;R3,R4限流电阻;U1,U2为光耦隔离器;R5,R6为上拉电阻,C1,C2为滤波电容。
具体实施方式:
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