[实用新型]等离子显示器及其控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电器领域，具体而言，涉及一种等离子显示器及其控制电路。

背景技术

图1是根据相关技术的等离子显示器的控制电路的结构示意图。如图1所示，现有的等离子显示器的控制电路采用主控芯片(FPGA/ASIC)，DDR芯片(或SDRAM)和并行FLASHROM(或控制器)来实现逻辑控制、数据存储和帧存储器读写等操作，其中，采用并行FLASHROM作为配置芯片和/或帧存储器以及存放APL、gamma曲线和波形文件等占用了很多I/O资源，占用至少40个I/O，增加了主控芯片的I/O开销，而且控制电路结构复杂，控制电路成本较高。

目前针对相关技术的等离子显示器的控制板I/O开销大、结构复杂、成本高的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术的等离子显示器的控制板I/O开销大、结构复杂、成本高的问题，目前尚未提出有效的问题而提出本实用新型，为此，本实用新型的主要目的在于提供一种等离子显示器及其控制电路，以解决上述问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种等离子显示器的控制电路，该等离子显示器的控制电路包括：主控芯片；串行存储器，通过I/O接口与主控芯片连接，用于接收主控芯片的读写操作命令；内存，与主控芯片连接，用于存储数据。

进一步地，主控芯片是FPGA或ASIC。

进一步地，串行存储器是串行FLASH ROM，读写操作的数据包括：APL、Gamma曲线和波形文件。

进一步地，内存是DDR芯片。

为了实现上述目的，根据本实用新型的另一方面，提供了一种等离子显示器，该等离子显示器包括上述任意一种等离子显示器的控制电路。

通过本实用新型，采用主控芯片；串行存储器，通过I/O接口与主控芯片连接，用于接收主控芯片的读写操作命令；内存，与主控芯片连接，用于存储数据，能够解决等离子显示器的控制板I/O开销大、结构复杂、成本高的问题，进而实现降低主控芯片的I/O开销，简化控制板结构，降低控制板成本的效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是根据相关技术的等离子显示器的控制电路的结构示意图；

图2是根据本实用新型实施例的等离子显示器的控制电路的结构示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

图2是根据本实用新型实施例的等离子显示器的控制电路的结构示意图。如图2所示，该等离子显示器的控制电路包括：主控芯片；串行存储器，通过I/O接口与主控芯片连接，用于接收主控芯片的读写操作命令；内存，与主控芯片连接，用于存储数据。

本实用新型上述实施例采用串行FLASH ROM作为配置芯片以及帧存储器并存放APL、gamma曲线和波形文件等，取代目前广泛使用的并行FLASH ROM，大大降低了FPGA的I/O开销，大大简化了控制板的结构，降低了控制板的成本。

优选的，本实用新型上述实施例中的主控芯片是FPGA和ASIC；串行存储器是串行FLASH ROM，读写操作的数据可以包括：APL、Gamma曲线和波形文件。且内存是DDR芯片。

具体的，本实用新型实施例通过一个串行FLASH ROM来取代现有控制电路中的并行FLASH ROM，其中，主控芯片为FPGA或ASIC，FPGA可以选用Xilinx，Altera或其他厂家的FPGA芯片，本实施例采用Xilinx芯片，而串行FLASH ROM可以选用ATMEL，Intel、Spansion或其他厂家的芯片，本实施例采用ATMEL的芯片作为配置芯片以及帧存储器并存放APL、gamma曲线和波形文件等，占用至多4个I/O，电路结构简单，减少I/O开销，成本低。