[实用新型]一种单色硅基OLED显示器的驱动电路

说明书

技术领域

本申请涉及微电子显示技术，更具体地，本申请涉及一种硅基OLED显示屏和驱动电路。 

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为电流驱动器件，要求背板电路能提供精确、稳定的电流控制。早期的有源背板采用的是非晶硅(amorphous silicon，a-Si)TFT技术，但是由于非晶硅的迁移率较低及阈值电压的不稳定等原因，使其没有获得成功。相比非晶硅而言，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)TFT的迁移率要高得多，但是阈值电压仍存在均匀性不一致的问题，所以需要在像素电路的设计中进行一定的电路补偿，目前已有的OLED显示器大部分采用的都是LTPS TFT背板技术。而在大尺寸OLED量产方面，LTPS的制造技术尚不成熟，没有统一的标准生产线，要制备LTPS TFT背板必须投巨资建造专用生产线。 

硅基OLED微型显示器件采用单晶硅CMOS基板技术，相比其他基板技术而言，单晶硅具有载流子迁移率高、阈值电压稳定等优点，可以将像素矩阵及周边驱动电路等都集成在显示屏上，大大减小整个显示系统的体积及成本，同时成熟的CMOS集成电路工艺也为硅基OLED微型显示器件的基板制作提供了便利，且单晶硅CMOS基板生产工艺流程标准化，仅需支付小额的加工费用就可 以在任何一家标准的单晶硅CMOS基板生产线上制备基板；同时硅基OLED基板上的每个像素面积可以做得很小，利于显示分辨率的提高。在单晶硅CMOS基板芯片的设计上，主要考虑的是如何精确控制流过OLED的电流，从而实现良好的灰度图象显示。同时芯片功耗也非常重要，因为硅基OLED微型显示器件也就可以用于便携式近眼显示，由普通手机电池供电，低功耗电路可延长电池的使用寿命。 

实用新型内容

为精确控制OLED的电流并且降低电路功耗，克服上述的现有LTPS TFT背板像素电路存在的缺陷，本申请提供一种基于单晶硅CMOS基板技术的一种硅基OLED显示屏和驱动电路。 

根据本申请的一个方面，提供一种单色硅基OLED显示器的驱动电路，包括：像素单元电路矩阵、行驱动器电路、列驱动器电路、分频分流器电路、Vcom反转开关电路和OLED发光层测试区；其中列驱动器电路分为镜像对称的上下两组电路，分别驱动奇偶数据线。 

所述分频分流器电路用于实现32组数据并行输入到像素单元显示矩阵。 

所述像素单元电路矩阵包括多个像素单元电路，所述像素单元电路包括4个PMOS管，用于向OLED发光层提供驱动脉冲电流。 

所述像素单元电路中，第一PMOS管用作OLED发光层的驱动管，第二PMOS管为像素单元矩阵寻址开关管，第三PMOS管为驱动开关管，第四PMOS管为像素单元电路保护管。 

第一PMOS管的漏极连接电源VCC，第一PMOS管的栅极和VCC之间连接电容器 C1，第一PMOS管的源级连接第三PMOS管的漏极，第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极；第二PMOS管的源级连接数字视频位信号VD，第二PMOS管的栅极连接扫描寻址信号SV；第三PMOS管的栅极连接扫描寻址信号SVB，第三PMOS管的源级连接到OLED发光层到Vcom，第三PMOS管的源级还连接第四PMOS管的栅极和源级，第四PMOS管的漏极接地。 

当扫描寻址信号SV为低电平时，第二PMOS管导通，VD对C1进行充放电。 

当对C1充入高电位时，第一PMOS管工作在截止状态，不向OLED发光层提供驱动电流；当对C1充入低电位时，第一PMOS管工作在亚阈值状态，向OLED发光层提供几十纳安的微驱动电流。 

在第二PMOS管导通期间，第三PMOS管截止，防止在第一PMOS管工作状态发生变化时产生的瞬变电流激发OLED发光层出现意外闪烁现象。 

第二PMOS管从VD取样截止后，第三PMOS管立即导通；第四PMOS管用作像素单元电路的保护管，当第三PMOS管的输出电位低于0V时，第四PMOS管导通，透过OLED发光层Vcom公共电极接入-3V电位，使得施加到OLED发光层上的最大电压为8V。 

综上所述，通过应用本实用新型，可以减少整机空间的尺寸，降低整机功耗。 

附图说明

图1示出根据本实用新型的显示屏区域示意图； 

图2示出时分脉宽调制帧周期的示意图； 

图3示出显示屏的功能结构示意图； 

图4示出像素单元电路的示意图；