[实用新型]短路保护电路及包括该电路的升压转换器和电子装置有效
申请号: | 201020701474.6 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN202121504U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 张海波;王光峰;李进 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02M3/10 | 分类号: | H02M3/10;H02M3/155;H02M1/32 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 短路 保护 电路 包括 升压 转换器 电子 装置 | ||
1.一种电路,包括:
输入端,用于接收输入电压;
输出端,用于提供输出电压;
第一开关,耦接在第一中间节点和参考电位线之间;
电感元件,耦接在所述输入端和所述第一中间节点之间;
整流元件,耦接在所述第一中间节点和第二中间节点之间;
第二开关,耦接在所述第二中间节点和所述输出端之间;
第三开关,与所述第二开关并联,耦接在所述第二中间节点和所述输出端之间,其中,所述第三开关的导通电阻大于所述第二开关的导通电阻;以及
控制模块,配置成响应于所述输出电压低于阈值而打开所述第一开关和所述第二开关并闭合所述第三开关。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制模块包括:
比较器,用于比较所述输出电压和所述阈值;以及
时间延迟单元,耦接于所述比较器和所述第三开关之间,用于响应于所述输出电压低于所述阈值而提供第一时间延迟。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制模块包括:
比较器,用于比较所述输出电压和所述阈值,
其中,所述第二开关耦接于所述比较器,配置成响应于所述输出电压高于所述阈值而保持闭合。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制模块包括:
比较器,用于比较所述输出电压和所述阈值;
第一单元,耦接于所述比较器、第一控制信号和所述第一开关;
第二单元,耦接于所述比较器、第一控制信号和所述第二开关;以及
第三单元,耦接于所述比较器、第一控制信号和所述第三开关。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,
所述第一单元包括:
反相器,耦接于所述比较器,用于生成与所述比较器的输出相位相反的信号;
第一时间延迟单元,耦接于所述第一控制信号,用于在所述第一控制信号变为有效电平时提供第三时间延迟;
与门,耦接于所述反相器、第一时间延迟单元以及脉冲序列以生成第一驱动信号;以及
第一门驱动器,耦接于所述与门和所述第一开关,响应于所述第一驱动信号而驱动所述第一开关,
所述第二单元包括:
第二时间延迟单元,耦接于所述第一控制信号,用于提供第二时间延迟,所述第二时间延迟比所述第三时间延迟短;
与非门,耦接于所述反相器以及所述第二时间延迟单元以生成第二驱动信号;以及
第二门驱动器,耦接于所述与非门和所述第二开关,响应于所述第二驱动信号而驱动所述第二开关,
所述第三单元包括:
第二反相器,耦接于所述第一控制信号,用于生成与所述第一控制信号相位相反的信号;
或门,耦接于所述第二反相器和所述比较器以生成第三驱动信号;
第三时间延迟单元,耦接于所述第三驱动信号,用于在所述第三驱动信号变为有效电平时提供第一时间延迟;以及
第三门驱动器,耦接于所述第三时间延迟单元和所述第一开关,响应于所述第三时间延迟单元的输出而驱动所述第一开关。
6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述整流元件包括同步整流开关。
7.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述整流元件、 所述第二开关和所述第三开关包括MOS晶体管,并布置成当所述MOS晶体管关断时所述整流元件的体二极管和所述第二开关以及所述第三开关的每一个开关的体二极管阻止彼此导通。
8.升压转换器,包括权利要求1-7中任一项所述的电路。
9.电子装置,包括权利要求1-7中任一项所述的电路。
10.一种电路,包括:
输入端,用于接收输入电压;
输出端,用于提供输出电压;
第一开关,耦接在第一中间节点和参考电位线之间;
电感元件,耦接在所述输入端和所述第一中间节点之间;
整流元件,耦接在所述第一中间节点和第二中间节点之间;
多态模块,耦接在所述第二中间节点和所述输出端之间,具有至少一个低阻态和一个高阻态;以及
控制模块,耦接于所述输出端、所述第一开关和所述多态模块,配置成控制所述第一开关和所述多态模块从而使得,响应于所述输出电压低于阈值,所述第一开关是打开的并且所述多态模块处于所述高阻态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体研发(深圳)有限公司,未经意法半导体研发(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020701474.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。