[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201080001167.X | 申请日: | 2010-01-22 |
公开(公告)号: | CN101960597A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 铃木久则;米田康人;高木慎一郎;前田坚太郎;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于:
具备:
摄像区域;
输出寄存器,其接收自所述摄像区域传送的电荷并将该电荷传送,可将电荷向一个方向以及与该一个方向相反的另一个方向选择性地传送;
转角寄存器,其传送从所述输出寄存器向所述一个方向传送的电荷;
倍增寄存器,其接收来自所述转角寄存器的电荷并生成经倍增的电荷;
第1放大器,其生成基于来自所述倍增寄存器的经倍增的电荷的信号;
该第2放大器,其生成基于由所述输出寄存器向所述另一个方向传送的电荷的信号;以及
阀栅电极,其用于阻碍所述输出寄存器与所述转角寄存器之间的电荷传送。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:
还具备用于排出所述转角寄存器和所述倍增寄存器中所存储的电荷的溢出漏极。
3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置,其特征在于:
还具备:
过扫描单元,其为用于将从所述输出寄存器向所述另一个方向传送的电荷传送至所述第2放大器的寄存器;以及
其它的阀栅电极,其用于阻碍所述输出寄存器与所述过扫描单元之间的电荷的传送。
4.一种固体摄像装置,其特征在于:
具备:
摄像区域;
输出寄存器,其接收自所述摄像区域传送的电荷并将该电荷传送,可将电荷向一个方向以及与该一个方向相反的另一个方向选择性地传送;
第1转角寄存器,其传送从所述输出寄存器向所述一个方向传送的电荷;
第1倍增寄存器,其接收来自所述第1转角寄存器的电荷并生成经倍增的电荷;
第1放大器,其生成基于来自所述第1倍增寄存器的经倍增的电荷的信号;
第2转角寄存器,其传送从所述输出寄存器向所述另一个方向传送的电荷;
第2倍增寄存器,其接收来自所述第2转角寄存器的电荷并生成经倍增的电荷;
第2放大器,其生成基于来自所述第2倍增寄存器的经倍增的电荷的信号;
第1阀栅电极,其用于阻碍所述输出寄存器与所述第1转角寄存器之间的电荷传送;
第2阀栅电极,其用于阻碍所述输出寄存器与所述第2转角寄存器之间的电荷传送。
5.如权利要求4的固体摄像装置,其特征在于:
还具备用于放出所述第1及第2转角寄存器和所述第1及第2倍增寄存器中所存储的电荷的溢出漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的