[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括第一及第二反相器、第一金属氧化物半导体开关、第一金属氧化物半导体晶体管以及第二金属氧化物半导体开关，该第一及第二反相器通过使该第一及第二反相器中一方的输出端与另一方的输入端相互连接，来储存数据，该第一金属氧化物半导体开关使所述第一反相器的输入端与写入用位线相连接，该第一金属氧化物半导体晶体管在栅极上连接有所述第一反相器的输出端，该第二金属氧化物半导体开关使所述第一金属氧化物半导体晶体管与读出用位线相连接，其特征在于：

第一金属氧化物半导体开关是主要由P沟道型金属氧化物半导体晶体管及N沟道型金属氧化物半导体晶体管构成的互补金属氧化物半导体开关；

所述第一及第二反相器的大小互不相同，构成所述第二反相器的P沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源与构成所述第一反相器的P沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源不同，并且构成所述第二反相器的N沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源与构成所述第一反相器的N沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源不同。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第一金属氧化物半导体晶体管是N沟道型金属氧化物半导体晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

与所述第一反相器相比所述第二反相器更大。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第二反相器的源极电源供给电路，是为与所述第一金属氧化物半导体开关连接的每条所述写入用位线而配置的。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

由所述源极电源供给电路供给的两种电压是在于电源电压与接地电压之间且依赖于电阻比的电压。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述源极电源供给电路由写入控制信号控制，所述源极电源供给电路具有下述功能，该功能是：在第一工作状态下供给在于所述电源电压与所述接地电压之间且依赖于电阻比的电压，并且，在第二工作状态下向构成所述第二反相器的P沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极供给所述电源电压，并向构成所述第二反相器的N沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极供给所述接地电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第一金属氧化物半导体晶体管是P沟道型金属氧化物半导体晶体管。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包括预充电电路，该预充电电路将与所述第一反相器的输入端连接的所述写入用位线预充电到与电源电压及接地电压不同的中间电压。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

在将所述电源电压设为VDD时，所述中间电压是

10.一种半导体存储装置，其特征在于：

包括：

数据保持电路，构成为用大小互不相同且分别连接在不同的电源上的第一及第二电路因素储存数据，

互补金属氧化物半导体开关，主要由P沟道型金属氧化物半导体晶体管及N沟道型金属氧化物半导体晶体管构成，以使所述数据保持电路与位线相连接，以及

读出电路，读出所述数据保持电路的数据。