[发明专利]等离子体显示面板无效
申请号: | 201080001481.8 | 申请日: | 2010-01-13 |
公开(公告)号: | CN102017050A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 福井裕介;坂井全弘;西谷干彦;本多洋介;冈藤美智子;山内康弘 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01J11/02 | 分类号: | H01J11/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李浩;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用了气体放电引起的辐射的等离子体显示面板。特别地,涉及一种对面向放电空间的表面层(保护膜)的特性进行改良的技术。
背景技术
等离子体显示面板(以下称为PDP)是一种利用了气体放电引起的辐射的平面显示装置。其易于实现高速显示和大型化,被广泛应用于影像显示装置和公共信息显示装置等领域。PDP分为直流型(DC型)和交流型(AC型),其中表面放电AC型PDP在寿命特性和大型化方面尤其具有很高的技术潜力,已得到商品化应用。
图12是一般的AC型PDP中的放电单位,即放电单元结构的示意图。该图12中所示的PDP1x由前面板2和背面板9粘贴在一起而成。作为第一基板的前面板2是在前面板玻璃3的单面上配设有多对将扫描电极5和维持电极4组成一对的显示电极对6,并以覆盖该显示电极对6的方式依次层叠电介质层7和表面层8而形成的。扫描电极5、维持电极4分别是由透明电极51、41和总线52、42层叠而构成的。
电介质层7由玻璃软化点在550℃~600℃左右的范围内的低熔点玻璃形成,具有AC型PDP特有的电流限制功能。
表面层8发挥的作用是保护上述电介质层7和显示电极对6免受等离子放电的离子冲击,并且在放电空间15内高效地释放二次电子,降低PDP的放电开始电压。通常,该表面层8使用二次电子释放特性、耐溅射性、可见光透射率优异的氧化镁(MgO)通过真空蒸镀法或印刷法成膜。此外,有时候也将与表面层8同样的结构设置为专门用于确保二次电子释放特性的保护层(也称为保护膜)。
另一方面,作为第二基板的背面板9以用于写入图像数据的多个数据(地址)电极11与所述前面板2的显示电极对6在正交方向上交叉的方式设置在背面板玻璃10上。在背面板玻璃10上覆盖数据电极11配设有由低熔点玻璃构成的电介质层12。电介质层12中,在相邻的放电单元(省略图示)的边界上形成有由低熔点玻璃构成的具有规定高度的间隔壁(Rib)13,这些间隔壁13是由多个条纹状的图形部1231、1232分别组合为井字形而形成的,由此划分出放电空间15。在电介质层12表面和间隔壁13的侧面上涂敷了R、G、B各色荧光体墨并通过烧制而形成了荧光体层14(荧光体层14R、14G、14B)。
前面板2和背面板9按照显示电极对6和数据电极11的各长度方向隔着放电空间15彼此正交的方式配置,在两个面板2、9的周围进行内部密封。在密封的放电空间15内以大约几十kPa的压力封入了Xe-Ne类或Xe-He类等稀有气体作为放电气体。按照上述方式构成PDP1x。
为了在PDP中进行图像显示,人们采用了将1场(field)影像分割为多个子场(S.F.)的灰度表现方式(例如场内时分显示方式)等。
然而,近年来人们对于电器产品提出了低功率驱动的要求,对于PDP来说也是如此。在进行高精度的图像显示的PDP中,放电单元进一步微细化,放电单元数量也有所增加。因而,为了可靠地进行写入放电,必须提高工作电压,这样才能在狭小的放电空间内可靠地产生放电。PDP的工作电压依赖于表面层的二次电子释放系数(γ)。γ值取决于材料和放电气体,研究发现,材料的功函数越小,γ值越高。工作电压的上升会导致在以低功率驱动PDP时发生故障。因此,专利文献1中公开了一种以SrO为主要成分并混合有CeO2的表面层,其中记载了在低电压下使SrO稳定地放电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开52-116067号公报
但是,在上述所有的现有技术中实际上都没有充分地实现PDP的低功率驱动。
另外,含有CeO2的表面层也存在一个问题,即其老化时间比MgO更长。
进而,PDP中存在着“放电延迟”的问题。在PDP等显示器领域,随着图像显示的高精度化,图像源的信息量增加,显示面的扫描电极(扫描线)数量倾向于增加。例如,在所谓的全高清(full spec highvision)TV中,与通常的NTSC方式的TV相比,扫描线数量增加到2倍以上。为了在这种高精度型PDP中准确地进行影像显示,要求与影像源的信息量增加程度相适应的高速驱动。具体而言,必须实现在1/60[s]以内完成1场的序列的高速驱动。
为了达到这一目标,可以举出例如缩短在子场中的写入期间内施加在数据电极上的脉冲宽度的方法等。
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