[发明专利]接合结构体和接合结构体的接合方法

权利要求书

1.一种接合结构体，它是通过以Bi为主要成分的接合材料将半导体元件和电极接合而成的接合结构体，其特征在于，

在所述半导体元件的与所述电极相对的表面侧配置晶格与所述接合材料不同的金属的层，

并且在晶格与所述接合材料不同的金属的所述层和所述半导体元件的与所述电极相对的表面之间配置与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的层。

2.一种接合结构体，它是通过以Bi为主要成分的接合材料将半导体元件和电极接合而成的接合结构体，其特征在于，

在所述半导体元件的与所述电极相对的表面侧配置晶格与所述接合材料不同的金属的层，

并且在晶格与所述接合材料不同的金属的所述层和所述半导体元件的与所述电极相对的表面之间配置与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的层，

在晶格与所述接合材料不同的金属的所述层和所述接合材料之间配置与所述接合材料的接触角比晶格与所述接合材料不同的金属的所述层更小的金属的层。

3.如权利要求1或2所述的接合结构体，其特征在于，

晶格与所述接合材料不同的金属的所述层为Cu时，与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的所述层的材料是选自Ta、Ti、Cr、TaN、TaC、TiN、TiC的1种以上的材料。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的接合结构体，其特征在于，

所述接合材料包含选自0.1～1重量％的Cu和0.1～9重量％的Ag的1种以上的元素，除不可避免的杂质外，其余部分由Bi形成。

5.一种接合结构体的接合方法，其特征在于，

通过以Bi为主要成分的接合材料将半导体元件和电极接合时，

在所述半导体元件的与所述电极相对的表面侧介以与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的层而形成晶格与所述接合材料不同的金属的层，

将晶格与所述接合材料不同的金属的所述层在与所述接合材料接触的状态下加热，介以所述接合材料、晶格与所述接合材料不同的金属的层以及与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的层将所述半导体元件与所述电极接合。

6.一种接合结构体的接合方法，其特征在于，

通过以Bi为主要成分的接合材料将半导体元件和电极接合时，

在所述半导体元件的与所述电极相对的表面侧介以与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的层而形成晶格与所述接合材料不同的金属的层，

在晶格与所述接合材料不同的金属的所述层的靠所述电极侧的面形成与所述接合材料的接触角比晶格与所述接合材料不同的金属的所述层更小的金属的层，

将与所述接合材料的接触角比晶格与所述接合材料不同的金属的所述层更小的金属的所述层在与所述接合材料接触的状态下加热，介以所述接合材料、与所述接合材料的接触角比晶格与所述接合材料不同的金属的所述层更小的金属的所述层、晶格与所述接合材料不同的金属的所述层以及与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的所述层将所述半导体元件与所述电极接合。